AIXTRON Recebe o Pedido dos Sistemas Múltiplos da Potência da Estrutura

Published on February 17, 2010 at 3:34 AM

AIXTRON AG (FSE: AIXA, ISIN DE000A0WMPJ6; NASDAQ: AIXG, ISIN US0096061041) anunciou hoje um pedido do sistema múltiplo para diversos sistemas de produção do MOCVD de CRIUS (configuração da polegada 31x2) e de AIX 2800G4HT (configuração da polegada 42x2) da Potência da Estrutura, um cliente existente Província em Nanchang, Jiangxi, China. Este é um dos únicos pedidos os maiores de China AIXTRON tinha recebido.

A Potência da Estrutura colocou seu pedido no quarto trimestre de 2009 para o crescimento de InGaN de alta potência no Diodo emissor de luz do silicone. A equipe de apoio local de AIXTRON comissão os reactores novos na facilidade finalidade-construída da empresa em Nanchang entre o primeiro e o quarto trimestre de 2010.

O pedido foi recebido por ocasião da Cerimónia Chinesa Oficial no Hotel Adlon, Berlim, Alemanha o 12 de outubro de 2009 onde os vários contratos da importação/exportação entre o governo Chinês e a República Federal da Alemanha foram assinados na presença do Vice-presidente Chinês, Xi Jinping e Ministro Federal Alemão anterior da Economia, zu Guttenberg de Karl-Theodor.

O Sr. Sonny Wu, Presidente e CEO, Potência da Estrutura, diz, “Durante discussões tornou-se rapidamente claro que AIXTRON era a empresa que poderia entregar esta grande quantidade de ferramentas da produção do elevado desempenho a nossa programação apertada. Neste ambiente comercial desafiante trabalhar com um sócio profissional tal como AIXTRON é uma condição prévia para o sucesso.” De “a entrega AIXTRON e o comprometimento de apoio fixaram nosso plano de expansão rápido para o backlighting do LCD e o negócio da iluminação geral”, adiciona o Dr. BO Lu, Vice-presidente Executivo da Potência da Estrutura.

Director de Operações de AIXTRON, Dr. Bernd Schulte, comentários, “Nós somos comprometidos para fornecer o apoio total para o crescimento e a expansão da Potência da Estrutura. Nós acreditamos que são um dos melhores concorrentes do DIODO EMISSOR DE LUZ com tecnologia forte e proeminente no GaN-em-Silicone.”

O termo CRIUS® é uma marca registada.

Last Update: 13. January 2012 03:48

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