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Posted in | Nanoelectronics

Los Materiales Aplicados Revelan el Nuevo Sistema de Inspección del Fulminante para las Virutas 22nm

Published on March 30, 2010 at 2:36 AM

Applied Materials, Inc. revelaron hoy su sistema de inspección Aplicado del fulminante de UVision® 4, permitiendo a los fabricantes de chips detectar la rendimiento-limitación de defectos en las capas que modelaban críticas de 22nm y debajo de los dispositivos de la lógica y de memoria.

El nuevo sistema de inspección Aplicado del fulminante de UVision 4 permite a los fabricantes de chips detectar la rendimiento-limitación de defectos en las capas que modelan críticas de 22nm y debajo de la lógica y de chips de memoria

La tecnología de la imagen acertada Aplicada del laser de DUV Que Extiende, el UVision 4 entrega la sensibilidad y la productividad necesarias para localizar y para determinar rápidamente los defectos previamente no vistos por cualquier otro sistema de inspección.

El sistema de UVision 4 es ya la herramienta del archivo en los fabricantes de destello de cabeza múltiples donde se utiliza para la producción 32nm y en el revelado de los procesos de 22nm y de la litografía de EUV. El UVision 4 también ha desempeñado un papel dominante en el revelado de la tecnología de 22nm SADP en el Centro de Tecnología Aplicado de Maydan.

“El reto crítico de encontrar y de caracterizar defectos en las características minuciosas creadas por la última litografía de la inmersión y las técnicas que modelan dobles se puede resolver solamente solamente con las innovaciones proporcionadas en el sistema de UVision 4,” dijo a Ronen Benzion, vicepresidente y director general de la división De Proceso Aplicada de los Diagnósticos y de Mando. “Cuando estaba acoplado con nuestro estándar industrial Aplicó el sistema de la revista del defecto de SEMVision™ G4, el UVision 4 ofrece a fabricantes de chips el tiempo más rápido de datos a la información, permitiendo que resuelvan la funcionamiento-limitación de ediciones del defecto para reforzar el rendimiento y para reducir la duración de ciclo.”

Puesta En Marcha en 2005, la plataforma de UVision propulsó el examen del brightfield en la era de DUV introduciendo el brightfield simultáneo y dispersó el examen del laser de la luz (grayfield) DUV a la industria del semiconductor. Aplicado ahora ha avance importante esta tecnología del descubrimiento con el sistema de UVision 4, combinando la iluminación del laser de DUV, la polarización programable y detectores pálidos dispersos ultrasensibles para lograr sensibilidad del examen de la prueba patrón.

El sistema de UVision 4 potente, sistema óptico flexible activa tallas más pequeñas del pixel, cerco una luz más dispersa del hasta 40%, y utiliza los nuevos detectores (WDR) del amplio rango dinámico que permiten que todas las áreas de una viruta sean óptimo reflejadas en una única exploración. El nuevo sistema también ofrece los aumentos dominantes de la productividad, incluyendo un nuevo motor del tratamiento de la imagen que mejore velocidad del análisis de datos a los 12 mil millones pixeles impresionantes por segundo, entregando una producción más alta del fulminante del hasta 35% que su precursor.

Los utilizadores Existentes de UVision pueden aprovecharse de las nuevas capacidades introducidas en el UVision 4 vía un conjunto conveniente de la mejora, permitiendo que a fabricantes de chips una ruta rápida, de poco costo guarde sus capacidades del examen del defecto en el borde delantero mientras que usan su poderío fabuloso existente.

Fuente: http://www.appliedmaterials.com

Last Update: 13. January 2012 00:26

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