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Los Lanzamientos Aplicados de los Materiales Nuevos Prelimpian el Compartimiento para los Dispositivos de Lógica de Sub-32nm

Published on March 30, 2010 at 2:40 AM

Applied Materials, Inc. anunciaron hoy que la primera baja temperatura integrada de la industria del semiconductor prelimpia para las aplicaciones epitaxiales (del epi) que está disponible en su sistema Aplicado mercado-de cabeza de Centura® RP Epi.

Aplicado introdujo el primer a baja temperatura integrada de la industria del semiconductor prelimpian para las aplicaciones del epi para su sistema Aplicado de Centura RP Epi.

El nuevos prelimpian el compartimiento, que ofrece la tecnología probada Aplicada de Siconi™, entregan el funcionamiento de proceso crítico necesario para escalar características sensibles, deformación-dirigidas en dispositivos de lógica de sub-32nm. Además, puesto que los procesos de la prelimpieza y del epi son integrados en la misma plataforma del vacío, se elimina el tiempo de cola y la contaminación de cara a cara es reducida por más que un orden de magnitud sobre los sistemas independientes, creando las superficies prístinas del silicio para el incremento cristalino del epi sin defecto.

Convencional prelimpie la tecnología requiere un limpio mojado seguido por un 800°C cuecen. En 32nm avanzado y debajo de los dispositivos, el limpio mojado agresivo puede erosionar las estructuras del circuito, mientras que la temperatura alta cuece puede debilitar importante niveles existentes de la deformación. En cambio, la química de limpieza plasma-basada patentada de la tecnología de Siconi proporciona a retiro apacible, con todo altamente efectivo, óxido en menos que 130°C, a la deformación óptima que mantiene y a preservar características delicadas.

“Se Aplicó ha construido su prolongado liderazgo en la deposición del epi contínuo ampliando la tecnología con nuevo, las capacidades innovadoras,” dijo a Steve Ghanayem, vicepresidente y director general de unidad de asunto Delantera Aplicada de los Productos finales. “Hasta ahora, los fabricantes de chips marginales han no podido realizar completo los avances de la velocidad del transistor proporcionados por capas múltiples del epi. El Siconi integrado prelimpia resuelve este problema, permitiendo a clientes derivar la ventaja completa de la ingeniería de la deformación para fabricar sus dispositivos del rendimiento más alto.”

Diseñado para el rendimiento energético, el proceso integrado de Siconi reduce importante electricidad y el consumo de agua. Eliminando la necesidad de una temperatura alta cueza, el Siconi prelimpia puede salvar el equivalente de 36,000kWh excesivo de la energía o de 40.000 libras de emisiones de CO2 anualmente.

El Siconi integrado prelimpia tecnología ha sido recibido entusiasta por los fabricantes de chips y es funcionando en los fabricantes múltiples del dispositivo por todo el mundo. La base instalada de los sistemas de Centura RP Epi se puede aumentar con la tecnología de Siconi a través de un conjunto de poco costo de la mejora.

Fuente: http://www.appliedmaterials.com

Last Update: 13. January 2012 00:26

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