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Posted in | Nanofabrication

Angewandte Materialien Stellt InVia-Anlage vor, um Hohes Längenverhältnis TSVs Zu Fabrizieren

Published on March 30, 2010 at 2:44 AM

Applied Materials, Inc. heute hinzugefügt seiner umfangreichen Zeile von Verpackenlösungen des Chips 3D mit der Produkteinführung seiner Angewandten dielektrischen Absetzungsanlage Producer® InVia™.

Unter Verwendung eines eindeutigen CVD-Prozesses entbindet die neue Angewandte Produzent InVia-Anlage eine innovative Methode für das Abgeben der kritischen Oxidzwischenlagen-Filmschicht in den hohen Zellen des Längenverhältnisses TSV

Unter Verwendung eines eindeutigen CVD-Prozesses entbindet die InVia-Anlage eine innovative Methode für das Abgeben der kritischen Oxidzwischenlagen-Filmschicht in hohem Längenverhältnis (HAR) Durchsilikon über (TSV) Zellen. Konforme Dichte über dem in ganzer Tiefe dieser schwierigen Merkmale Zur Verfügung Stellend, aktiviert der InVia-Prozess robuste elektrische Isolierung des TSV - das für zuverlässige Einheitsleistung wesentlich ist.

TSVs-Spiel eine Schlüsselrolle in auftauchenden 3D Verpackenentwürfen, elektrisch Verbindungschips, die vertikal gestapelt werden, um Drehzahl und untere Leistungsaufnahme aufzuladen. Zwei Haupttechniken, genannt über-erste und über-mittlere, in der das TSVs zusammen mit dem Transistor der Einheit fabriziert und Schichten, überlegene Auslegungsflexibilität des Angebots und Einheitsfunktionalität untereinander verbinden werden, aber haben eine beträchtliche Herausforderung für isolierende Zwischenlagenprozesse dargestellt. Die eigene Verfahrenstechnik der InVia-Anlage nimmt die Herausforderungen beider Techniken, abgebende Uniform, starke Oxidschichten in größerem als 10:1 HAR vias beim Erfüllen von thermischen Budgetbedingungen an.

Eingeführt auf Angewandter award-winning Plattform des Produzenten GT™, bietet die InVia-Anlage unwiderstehliche Vorteile über konkurrierenden Technologien an. Die Anlage hat den viel höheren Durchsatz als Stapelöfen, mit der Fähigkeit, zum von bis achtmal mehr Wafers pro Stunde an kleiner als Hälfte Kosten aufzubereiten, besonders wenn sie sehr starke Zwischenlagen für Hochleistungsanwendungen abgibt. Konkurrierende PECVD-Anlagen sind nicht imstande, die Oxidschichten herein tief, die schmalen vias gleichmäßig abzugeben und machen diesen Anflug unpassend für HAR-Anwendungen.

„Mit der Produkteinführung der InVia-Anlage, versehen wir jetzt Abnehmer mit einer umfassenden Lösung für die Fabrikation des hohen Längenverhältnisses TSVs,“ sagte Bill McClintock, Vizepräsident und Generaldirektor von Angewandtem DSM- und CMP-Unternehmenseinheit. „Von der Ätzung und über Zwischenlagen, Metallfülle und planarization, können wir Chipherstellern einen kosteneffektiven, schnellen Pfad anbieten, um ihre schwierigsten Verpackenentwürfe 3D einzuführen und ihre erregenden neuen Produkte schnell zu holen, um zu vermarkten.“

Quelle: http://www.appliedmaterials.com

Last Update: 13. January 2012 02:10

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