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Samsung Développe le Module de la Mémoire 32GB Comportant des Puces de 40nm 4Gb DDR3

Published on June 29, 2010 at 6:23 AM

Samsung Electronics Cie., Ltd, le leader mondial en technologie de stockage avancée, annoncée aujourd'hui qu'elle a développé premier gigas de l'industrie les 32 (GB) charge-réduits, module à double rangée de connexions de mémoire (LRDIMM), pour des applications serveur.

Samsung commencera à produire le 32GB LRDIMM dans la deuxième moitié de cette année, lui donnant la famille la plus nombreuse des offres de MÉMOIRE VIVE DYNAMIQUE dans l'industrie.

Utilisant le tranchant 40 classe du nanomètre, quatre puces DDR3, que du gigabit (4Gb) Samsung introduit plus tôt cette année, le 32GB LRDIMM neuf facilite des serveurs de prochain rétablissement ont conçu pour la virtualisation, opacifient calculer et d'autres applications de grande capacité.

« En développant le premier module charge-réduit de l'industrie avec la technologie de 40nm-class DDR3, nous soulignons notre détermination pour combiner le meilleur de la capacité et performance pour le rétablissement le plus neuf des serveurs, » a dit Dong-Soo Juin, vice président exécutif, vente de mémoire, Samsung Electronics.

Le prototype du 32GB LRDIMM de Samsung se compose de 72 puces de 4Gb DDR3 et d'une puce supplémentaire de tampon mémoire pour aider à réduire la charge sur le sous-système mémoire par pas moins de 75 pour cent.

À l'aide de 32GB LRDIMMs, la capacité de stockage peut monter jusqu'à 384 gigas selon la CPU. Dans un système hôte bi-directionnel, la capacité peut être augmentée jusqu'à 768GB, ou à environ 1,5 fois qui d'un système hôte 512GB ont équipé de 32GB DDR3 RDIMMs.

Un serveur équipé de LRDIMMs peut traiter des données à 1.333 mégabits par seconde (Mbps), approximativement 70 pour cent plus rapide que la vitesse précédente de 800 Mbps. LRDIMMs de Samsung fonctionnent à 1,35 ou 1,5 volts.

Source : http://www.samsung.com/in/

Last Update: 12. January 2012 01:38

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