Posted in | Nanoelectronics

Samsung ontwikkelt 32 GB Memory Module Met 40nm 4Gb DDR3 Chips

Published on June 29, 2010 at 6:23 AM

Samsung Electronics Co, Ltd, de wereldleider in geavanceerde geheugen technologie, kondigde vandaag aan dat het de industrie de eerste 32 gigabyte (GB) load-verminderd, dual-inline memory module (LRDIMM), voor server-toepassingen ontwikkeld.

Samsung zal beginnen massa productie van de 32GB LRDIMM in de tweede helft van dit jaar, waardoor het de grootste familie van DRAM aanbod in de industrie.

Met behulp van cutting-edge 40 nanometer-klasse, vier gigabit (4 GB) DDR3 chips, die Samsung introduceerde eerder dit jaar, het nieuwe 32GB LRDIMM biedt de volgende generatie servers ontworpen voor virtualisatie, cloud computing en andere high-capacity toepassingen.

"Bij de ontwikkeling van de industrie de eerste load-gereduceerd module met 40nm-class DDR3-technologie, zijn we onze vastberadenheid onderstrepen om het beste van capaciteit en prestaties voor de nieuwste generatie van servers te combineren," aldus Dong-Soo Jun, executive vice president, geheugen marketing , Samsung Electronics.

32GB LRDIMM Samsung's prototype bestaat uit 72 4Gb DDR3 chips en een extra geheugen buffer chip te helpen verminderen de belasting op de geheugensubsysteem met maar liefst 75 procent.

Door het gebruik van 32GB LRDIMMs, kan het geheugen capaciteit oplopen tot 384 gigabytes per CPU. In een twee-weg server systeem, kan de capaciteit worden verhoogd tot 768GB, of ongeveer 1,5 maal die van een 512GB-server-systeem uitgerust met een 32GB DDR3 RDIMM's.

Een server uitgerust met LRDIMMs kunnen verwerken gegevens op 1.333 megabit per seconde (Mbps), ongeveer 70 procent sneller dan de vorige snelheid van 800 Mbps. Samsung's LRDIMMs werken op 1,35 of 1,5 volt.

Bron: http://www.samsung.com/in/

Last Update: 3. October 2011 01:42

Tell Us What You Think

Do you have a review, update or anything you would like to add to this news story?

Leave your feedback
Submit