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三星开发32GB内存模块,具有40纳米4GB DDR3芯片

Published on June 29, 2010 at 6:23 AM

先进的内存技术的世界领先地位,三星电子有限公司,今天宣布,它已经开发出业界首个32千兆字节(GB)的负载减少,双列直插内存模块(LRDIMM)服务器应用程序,。

三星将开始批量生产32GB LRDIMM在今年下半年,给它的DRAM产品在行业中最大的家族。

使用尖端的40纳米级,4个千兆(4GB)DDR3芯片,其中三星今年早些时候推出的,新的32GB LRDIMM容纳下一代服务器为虚拟化设计,云计算和其他高容量应用。

“在开发业界第一个负载,减少40纳米级DDR3的技术模块,我们都强调,我们决心以结合能力和最新一代的服务器性能最好的,”说东,苏六月,执行副总裁,内存营销三星电子等。

三星的32GB LRDIMM原型组成的72个4Gb DDR3芯片和一个额外的内存缓冲芯片,以帮助减少内存子系统的负载高达75%。

通过使用32GB LRDIMMs,内存容量可上升到384%CPU容量。在两路服务器系统,容量可提高到768GB,一个512GB的服务器系统配备了32GB的DDR3的RDIMM,或约1.5倍。

LRDIMMs配备一台服务器可以处理1333兆比特每秒(Mbps)的数据,约70%的速度比以前的800 Mbps的速度。三星的LRDIMMs 1.35或1.5伏。

来源: http://www.samsung.com/in/

Last Update: 6. October 2011 18:07

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