Posted in | Nanoelectronics

Samsung для того чтобы Начать Предварительное Флэш-память NAND Вместе с Тосиба

Published on July 22, 2010 at 2:25 AM

Samsung Electronics CO., Ltd. и Тосиба Корпорация (ТОКИО: 6502) сегодня объявили их принятие окончательного решения к развитию самого предварительного высокопроизводительного сегодня технологии флэш-память NAND доступного - двойного флэш-память NAND (DDR) тарифа данных с 400 мегабит-в-вторым (Mbps) интерфейсом, шарнирнорычажная спецификация ГДР 2,0.

Ожидано, что будет высокопроизводительная память NAND немедленного преимущества к хозяину NAND-основанных применений черни и бытовой электроники, специально где потребительский спрос для экстренного простирания в представлении. Обе компании поддержат стандартную спецификацию индустрии для того чтобы включить принятие обширн-маштаба этой новой высокоскоростной технологии.

«Наше введение высокоскоростного типа NAND 30 нанометров поздно в прошлом году служило как начальное тропа для возбуждающего принятия новой высокопроизводительной технологии ГДР рычага,» сказал Дун-Soo Июнь, исполнительный вице-президент, маркетинг памяти, Samsung Electronics. «Теперь, постоянно подъемы в высокоскоростном представлении создадут новые применения и более обширные возможности сбыта для флэш-память NAND. Ожидано, что управляет быстрое принятие четвертых smartphones поколения (4G), ПК таблетки и полупроводниковых приводов требованием для более обширного ряда высокопроизводительных разрешений NAND.»

«Рычаг ГДР обеспечивает более быстрый интерфейс чем обычный NAND используя асинхронный принцип построения, поставляя преимущества высокоскоростной передачи данных к более широкому рынку, как для полупроводниковые применения (SSD) привода включая хранение предпринимательства, мобильные телефоны, стержни и продукты потребления мультимедиа,» сказал Masaki Momodomi, Технический Экзекьютива, продукт Памяти, Тосиба Корпорацию. «И мы будем продолжаться сделать самое лучшее усилие возможной создать стандартные, высокоскоростные разрешения интерфейса Вспышки NAND с поставщиками NAND и клиенты, которые ускорят ход витка в применениях хранения.»

Настоящая спецификация ГДР 1,0 рычага прикладывает интерфейс ГДР к обычному одиночному зодчеству NAND (SDR) тарифа данных. Приводя к обломок NAND имеет интерфейс 133Mbps.

Samsung и Тосиба сфокусируют на убеждать интерфейса 400Mbps для спецификации ГДР 2,0 рычага, которая обеспечивает троекратное увеличение над рычагом ГДР 1,0, и десятикратного увеличения над 40Mbps SDR NAND в широко распространённой пользе сегодня.

Обе компании поддерживают по всей отрасли принятие высокоскоростной спецификации, которая облегчила бы более быстрое принятие шарнирнорычажной памяти ГДР с инженерами и конструкторами приложений оборудования. Последний месяц, каждая компания начала участвовать в усилиях шаблонизации для новой технологии через Ассоциацию Технологии JEDEC Полупроводниковую.

Источник: http://www.samsung.com/

Last Update: 11. January 2012 23:45

Tell Us What You Think

Do you have a review, update or anything you would like to add to this news story?

Leave your feedback
Submit