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Posted in | Nanoelectronics

Großserienfertigung von Samsungs 40nm-Class DDR3 Speicher-Blöcken

Published on September 24, 2010 at 4:21 AM

Samsung Electronics Co., Ltd., der Weltmarktführer im hoch entwickelten Zweikanalmagnetbandelement, heute angekündigt, dass es den Speicherblock mit hoher Schreibdichte für Laptops und bewegliche Arbeitsplätze - ein speicherblock des kleinen (GB) Entwurfs von acht Gigabyte Doppelreihenoder (SoDIMM) ungepufferter Doppelreihenspeicherblock in Serienfertigung herstellt (UDIMM), basiert auf 4 Gigabit (Gb), 40 (nm) nm-klasseDDR3. DDR3 Mit Hoher Schreibdichte fördert Chip-Designer, CAD-/CAMingenieure und andere Fachleute, die mit großen Dateien mit beträchtlich schnelleren Drehzahlen arbeiten müssen.

Samsung versendet Konfigurationen 1G x64 (8GB) seiner neuen, leistungsstarken 40nm-class DDR3-based Blöcke mit hoher Schreibdichte. Dell, zuerst zum Markt mit dem neuen Block, bietet ihn im 17 beweglichen Arbeitsplatz Inch Dell-Präzision M6500, der 32GBs von Samsung 40nm-class DDR3 kennzeichnet, oder in vier 8GB SoDIMMs an.

Die Dell-Präzision M6500 kennzeichnet bis bis einer Extremen Ausgabe CPU Intel-Kern-i7 und zu Grafiken Nvidias Quadro FX 3800M und kommt mit einem wahlweise Festkörperantrieb Samsungs 256GB oder Speicher 500GB HDD, mit wahlweise 2. und 3. Antrieben und RAID-Halterung. Dell auch bietet das Samsung 8GB SoDIMM in einer Konfiguration 16GB im 15 Mobilearbeitsplatz Inch Dell-Präzision M4500 an.

„Dell, ein führender Arbeitsplatzanbieter, umfaßte schnell D-RAM der Industrie das mit hoher Schreibdichte indem Sein das erste, zum Arbeitsplätzen 32GB mit dem Block Samsungs 8GB zu starten von beweglichen,“ sagte Jim Elliott, Vizepräsident, Speichermarketing und Produktplanung, stellen Samsung Semiconductor, Inc. „Diese Hochgeschwindigkeitsblöcke schnellere Datenverarbeitung für Konstrukteure und andere Fachleute zur Verfügung, die Arbeitsplätze wünschen, die nicht nur summen, aber singen.“

„Dell-Präzisionsarbeitsplätze werden konstruiert, um unübertroffene Leistung zu entbinden und Leistungsfähigkeit für Arbeitsplatzabnehmer und ihre Software-Anwendungen,“ sagte Greg-Wehr, Senior Manager, Dell-Präzisions-Arbeitsplatz-Produkt und ISV-Marketing. „, Indem das Angebot der Speicherblöcke mit hoher Schreibdichte, die von Samsung, CAD, NOCKEN, Schmieröl und Gas und andere Fachleute erhältlich sind, kann größere Dateien in weniger Zeit belasten und handhaben und die Möglichkeiten machen für die grenzenlose Produktivität und Kreativität fast.“

Mit den Chips des 4Gb 40nm-class des Blocks sind fordernde Benutzer in der Lage, das beste Machtleistung Verhältnis jedes möglichen erhältlichen Speicherblocks jetzt zu nutzen. Der Block 8GB mit hoher Schreibdichte funktioniert an den Megabits 1333MHz pro Sekunde (Mbps) bei der Anwendung von 1,5 Volt Leistung und stellt Einsparungen eines ungefähr 67 Prozent in der Leistungsaufnahme über 1.8V DDR2 bereit.

Acht verbraucht Speicher des Gigabytes DDR3 53 Prozent weniger Leistung als zwei Blöcke 4GB DDR3, wenn er die steigende Nachfrage nach unterer Leistungsaufnahme abdeckt.

Entsprechend Marktforschungsunternehmen iSuppli wird der D-RAM-Markt weltweit erwartet, um 51 Prozent im Jahre 2010 zu wachsen und 60 Prozent im Jahre 2011 zu erhöhen (geschätzt in den gleichwertigen Geräten 1Gb).

Quelle: http://www.samsung.com/

Last Update: 12. January 2012 04:40

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