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三星的 40nm 班的 DDR3 內存模塊的大量生產

Published on September 24, 2010 at 4:21 AM

三星電子 Co.,有限公司,世界領導人在先進的存儲技術,今天宣佈它根據 4 吉比特大量生產膝上型計算機和移動工作區的 - 八十億字節小的概述 (GB)雙重軸向內存模塊或無緩衝的 (SoDIMM)雙重軸向內存模塊最高密度的 (UDIMM)內存模塊 (Gb), 40 个 (nm)毫微米班的 DDR3。 高密度 DDR3 將有益於需要與大數據集一起使用以顯著最快速度的芯片設計者、 CAD/CAM 工程師和其他專業人員。

三星發運其新的高密的 1G x64 (8GB) 配置,高性能 40nm 班的基於 DDR3 的模塊。 Dell,首先對與新的模塊的市場,提供它在 17 个英寸 Dell 精確度 M6500 移動工作區,以三星為特色 40nm 班的 DDR3 32GBs,或者四个 8GB SoDIMMs。

Dell 精確度 M6500 以為特色至 Intel 核心 i7 極其編輯 CPU 和 Nvidia Quadro FX 3800M 圖像,并且來與一個選項三星 256GB 固體驅動器或 500GB HDD 存貯,與選項第 2 個和第 3 個驅動器和 RAID 技術支持。 Dell 在 15 个英寸 Dell 精確度 M4500 移動電話工作區也提供三星在一種 16GB 配置的 8GB SoDIMM。

「Dell,一位主導的工作區提供者,由是迅速接受了行業的最高密度的微量生成 32GB 有三星 8GB 模塊的移動工作區的第一个」,內存說吉姆埃利奧特,營銷副總統,并且產品計劃, Samsung Semiconductor, Inc. 「這些高速模塊為想要工作區不僅哼唱著,但是唱歌的設計工程師和其他專業人員提供更加快速的數據處理」。

「Dell 精確度工作區被設計提供不匹配性能,并且工作區客戶和他們的軟件應用的效率」, ISV 市場營銷說格雷戈測流堰、高級經理、 Dell 精確度工作區產品和。 「通過提供最高密度的內存模塊可得到從三星、 CAD、 CAM、油和煤氣和其他專業人員在較少時刻能裝載和管理更大的數據集,做可能性的幾乎不可限量的生產率和的創造性」。

模塊的 4Gb 40nm 班的籌碼,過分要求的用戶能現在利用可用所有內存的模塊最佳的電源性能比例。 8GB 高密度模塊運行在 1333MHz 兆每秒 (Mbps),當使用 1.5 伏特功率,提供一 67% 儲蓄在 1.8V DDR2 時的電力消費。

八个十億字節 DDR3 內存少於二個 4GB DDR3 模塊消耗 53% 功率,在適應對低功率衝減的擴大需求。

根據市場研究公司 iSuppli,在 2011年全世界微量市場在 2010年預計增長 51% 和增加 60% (估計在 1Gb 等同的部件)。

來源: http://www.samsung.com/

Last Update: 26. January 2012 06:41

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