Nieuw Inzicht bij de Materiële Ontwikkeling Plakkend van de Microchip van de Hulp Efficiënte

Published on October 8, 2010 at 3:57 AM

Een benadering door onderzoekers bij De Universiteit van de Staat van Noord-Carolina de weg wordt bereid geeft wetenschappers nieuw inzicht in de banden van het maniersilicium met andere materialen op het atoomniveau dat.

Deze techniek kon tot beter begrip van en controle over bandvorming op het atoomniveau leiden, en kansen voor de verwezenlijking van nieuwe apparaten en efficiëntere microchips.

De Fabrikanten bouwen op silicium-gebaseerde apparaten van lagen verschillende materialen. De Banden - de chemische interactie tussen aangrenzende atomen - zijn wat materialen hun distinctieve kenmerken geven. „Hoofdzakelijk, is een band de lijm die twee atomen samen houdt, en het is deze lijm die materiële eigenschappen, zoals hardheid en transparantie bepaalt,“ zegt Dr. Kenan Gundogdu, hulpprofessor van fysica bij Staat NC en medeauteur van het onderzoek. De „Banden worden gevormd aangezien de materialen samen komen. Wij hebben het assemblageproces van siliciumkristallen door spanning tijdens bandvorming toe te passen beïnvloed. De Fabrikanten weten dat de spanning een verschil maakt in hoe de banden zich vormen, maar tot nu toe is er niet veel begrip van hoe dit werk aangaande het atoomniveau.“ geweest

Gundogdu, samen met Dr. David Aspnes, Onderscheidde Universitaire Professor van Fysica, en doctorale kandidaat Bilal Gokce, de gebruikte optische die spectroscopie samen met een methode van analyse door Aspnes en vroegere gediplomeerde student Dr. Eric Adles de weg wordt bereid dat hen toestond om te onderzoeken wat op de atoomschaal gebeurde toen de spanning werd toegepast op een siliciumkristal.

De „Spanning is gebruikt om algemene chemie te beïnvloeden lange tijd,“ Aspnes zegt. „Nochtans, heeft niemand eerder verschillen in chemisch gedrag van individuele banden als resultaat van het toepassen van spanning in één richting waargenomen. Nu wij kunnen zien wat eigenlijk gebeurt, zullen wij veel beter inzicht van zijn effect op de atoomschaal, verkrijgen en zullen ideaal gezien het aan gebruik kunnen zetten.“

Volgens Gundogdu, de „Toepassing van zelfs kleine hoeveelheid spanning in één richting verhoogt de chemische reactiviteit van banden in bepaalde richting, die beurtelings structurele veranderingen veroorzaakt. Tot nu toe, is de spanning toegepast wanneer de apparaten worden gemaakt. Maar door het effect op de individuele atoombanden te bekijken weten wij nu dat wij chemische reacties in een bepaalde richting kunnen beïnvloeden, die ons in principe om in het productieproces selectiever toestaat te zijn.“

Het onderzoek lijkt online in de 27 Werkzaamheden van Sept. van de Nationale Academie van Wetenschappen.

„Terwijl wij wat richtingcontrole meer dan reactietarieven kunnen uitoefenen, er blijven veel geen die wij nog begrijpen,“ Aspnes toevoegt. Het „Voortdurende onderzoek zal ons toestaan om de relevante verborgen variabelen te identificeren, en de op silicium-gebaseerde apparaten kunnen efficiënter worden dientengevolge.“

Bron: http://www.ncsu.edu/

Last Update: 12. January 2012 06:37

Tell Us What You Think

Do you have a review, update or anything you would like to add to this news story?

Leave your feedback
Submit