Posted in | Nanoelectronics

סמסונג אלקטרוניקס מודיעה על ייצור של 20nm-Class 64GB 3-Bit NAND פלאש

Published on October 14, 2010 at 5:49 AM

סמסונג אלקטרוניקס בע"מ, החברה המובילה בעולם בתחום טכנולוגיית זיכרון מתקדמים, הודיעה היום הייצור הראשון בתעשייה של התא 3 סיביות (3bit), 64 gigabit (GB) פלאש NAND באמצעות 20 ננומטר (ננומטר) בכיתה תהליך הטכנולוגיה . השבב החדש מתקדם ביותר ניתן להשתמש בצפיפות גבוהה פתרונות פלאש כגון כונני USB flash (UFDs) ו - Secure Digital (SD), כרטיסי זיכרון.

"סמסונג סיפקה שוב ושוב את השוק עם פתרונות קצה מובילים פלאש NAND, כולל הקדמה של 30nm בכיתה, 32Gb 3 סיביות פלאש NAND בנובמבר האחרון", אמר Seijin קים, סגן נשיא, זיכרון פלאש תכנון / אפשור, סמסונג אלקטרוניקס. "עד עכשיו להיכנס לייצור מלא של 20nm הבינוני 64GB 3 סיביות התקנים, אנו מצפים להאיץ את קצב האימוץ של פתרונות בעלי ביצועים גבוהים שלנו NAND כי השימוש בטכנולוגיית DDR Toggle, עבור יישומים אשר דורשים גם צפיפות גבוהה NAND".

הזמינות של צפיפות אחסון גבוהה שמונה ג'יגה (64GB) בתוך שבב יחיד יפעילו קבלה נרחבת של Toggle פלאש בעלי ביצועים גבוהים DDR-מבוסס UFDs ואת כרטיסי SD, כמו גם טלפונים חכמים ו-SSD, תוך החלפת ג'יגה four הקודם ( 32Gb) מכשירים בשוק.

סמסונג-20nm בכיתה, 64GB 3-bit-NAND יש רמת הפרודוקטיביות 60 אחוזים לעומת 30nm בכיתה, 32Gb 3-bit-NAND. המכשיר מציע גם ביצועים משופרים באמצעות החלת החלף DDR (Double Data Rate) 1.0 מפרטים, בהשוואה לאלו של ה-SDR (קצב נתונים יחיד) 30nm בכיתה שבבים מבוססי NAND.

בעקבות ייצור של 20nm בכיתה 32Gb MLC NAND באפריל, סמסונג מרחיבה את היצע המוצרים שלה בצומת 20nm ברמה החדשנית תהליך עם הקדמה של 20nm הבינוני 64GB 3-bit-NAND.

מקור: http://www.samsung.com/

Last Update: 3. October 2011 07:47

Tell Us What You Think

Do you have a review, update or anything you would like to add to this news story?

Leave your feedback
Submit