Posted in | Nanoelectronics

Samsung Electronics объявляет производство 20нм-класса 64 3-бит NAND Flash

Published on October 14, 2010 at 5:49 AM

Samsung Electronics Co, Ltd, мировой лидер в области передовых технологий памяти, объявил сегодня первый производства в отрасли 3-битный-элементная (3bit), 64 гигабитных (Гб) NAND флэш-памяти с использованием 20 нанометрового (нм)-классе технологии процесса . Высокоразвитой новый чип может использоваться в условиях высокой плотности флэш-решения, такие как USB флэш-накопителей (UFDs) и Secure Digital (SD), карт памяти.

"Samsung неоднократно оказывала на рынок с передовыми решениями вспышка NAND, в том числе введение 30нм-класса, 32Gb 3-бит NAND Flash в ноябре прошлого года", сказал Seijin Ким, вице-президент подразделения Flash Memory Планирование / Включение, Samsung Electronics. "В настоящее время вступает в полное производство 20 нм класса 64 3-разрядных устройств, мы надеемся ускорить принятие наших высокопроизводительных NAND решения, использующие технологии Переключить DDR, для приложений, которые также требуют высокой плотности NAND."

Наличие плотность хранения достигает восьми гигабайт (64 ГБ) в одном чипе вызовет широкое признание Переключить DDR основе высокопроизводительных вспышки в UFDs и SD-карт, а также смартфоны и SSD, при замене предыдущих четырех гигабайт ( 32Gb) устройств на рынке.

Samsung, 20nm-класса, 64 3-битный NAND имеет 60 процентов выше, чем уровень производительности 30нм-класса, 32Gb 3-бит NAND. Устройство также обеспечивает повышенную производительность, применяя Переключить DDR (Double Data Rate) 1.0 спецификации, по сравнению с теми SDR (Single Data Rate) основан 30нм-класса чипов NAND.

После производства 20 нм класса 32Gb MLC NAND, в апреле, компания Samsung расширяет свои предложения продукта на передовые 20nm-класса процесса узел с введением 20 нм класса 64 3-битной NAND.

Источник: http://www.samsung.com/

Last Update: 11. October 2011 16:33

Tell Us What You Think

Do you have a review, update or anything you would like to add to this news story?

Leave your feedback
Submit