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Posted in | Nanoelectronics

Industrie de la Microélectronique d'Alimentation Électrique Européenne À Tirer Bénéfice du DERNIER Projet de production d'énergie

Published on October 30, 2010 at 8:22 AM

Les associés dans un projet de recherche Européen financé au moyen de ressources publiques neuf ont aujourd'hui annoncé des détails de programme multinational/multidisciplinaire LAST POWER ('des Substrats de carbure de silicium de Vaste Zone et GaN heTeroepitaxial appelé pour des applications de dispositif d'ALIMENTATION ÉLECTRIQUE).

L'objectif de ce 42 projet important du mois ENIAC (Comité Consultatif Initiatique de Nanoelectronics d'Européen) est de fournir à l'Europe l'indépendance stratégique dans le domaine des semi-conducteurs larges d'écartement (WBG) de bande. Cette zone est d'importance stratégique majeure pendant qu'elle comporte le développement des systèmes hautement de rendement optimum pour toutes les applications qui ont besoin de l'alimentation électrique, de la télécommunication à automobile, de l'électronique grand public aux appareils électroménagers électriques, et des applications industrielles à la domotique.

Le consortium développera la technologie Européenne pour le réseau complet de production pour des dispositifs de semi-conducteur établis avec le Code indicatif de sujet (Carbure de Silicium) et le GaN (Nitrure heteroepitaxial de Galliums sur des disques de silicium). Ces matériaux de deux semi-conducteurs offrent une vitesse plus élevée, une capacité actuelle, une tension claque et une capacité de thermique comparées aux technologies conventionnelles de silicium.

« Le marché de semi-conducteur d'alimentation électrique, qui représente approximativement 30% du marché général de semi-conducteur, est réglé pour changer de manière significative en réponse à la demande toujours croissante des dispositifs plus de rendement optimum, » a dit le Certificat D'acceptation Financière Définitive de Salvatore de Coordinateur de projet, le Vice Président de Groupe et de R&D Directeur Général, Industriel et Secteur de Multisegment, STMicroelectronics. « Ce projet principal, que les objectifs fixent l'indépendance stratégique dans le domaine apparaissant des technologies de Code indicatif de sujet et de GaN, mettra l'Europe au premier rang des dispositifs de rendement optimum. »

L'objectif général du projet est de développer une intégration rentable et fiable des semi-conducteurs avancés de Code indicatif de sujet et de GaN dans l'industrie de la microélectronique d'alimentation électrique Européenne. Ceci sera réalisé par l'intermédiaire de cinq objectifs particuliers :

  • Accroissement de Code indicatif de sujet de la vaste zone (150mm) et de GaN heteroepitaxial de haute qualité sur des disques de 150mm SI, au delà de l'état de la question mondial actuel pour des substrats, l'épitaxie et la préparation de la surface ;
  • Développement des matériels dédiés neufs pour l'accroissement, la caractérisation et le traitement matériels ;
  • Traitement des dispositifs fiables et efficaces de Code indicatif de sujet et de GaN sur des disques de 150mm ;
  • Pour expliquer les dispositifs performants avec les propriétés qui ne peuvent pas être obtenues sur le SI, y compris un TRANSISTOR MOSFET du Code indicatif de sujet 1200V/100A, un Code indicatif de sujet JFET capables de faire fonctionner jusqu'à 250 degrés des dispositifs d'HEMT de C, et de GaN pour la commutation d'alimentation électrique ;
  • Pour développer les modules avancés pour des dispositifs de hautes températures et améliorer la fiabilité de dispositif.

Source : http://www.st.com/

Last Update: 11. January 2012 20:37

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