Posted in | Nanoelectronics

Samsung Развивает Модуль ДРАХМЫ DDR4 с Технологическим Прочессом 30 nm-Типов

Published on January 4, 2011 at 4:45 AM

CO. Samsung Electronics, Ltd, глобальный руководитель в предварительных разрешениях технологии полупроводника, объявленных сегодня что оно выполнил развитие модуля ДРАХМЫ DDR4 индустрии первого последний месяц, используя технологический прочесс типа (nm) 30 нанометров.

«Samsung активно поддерживал ИТ-индустрия с нашей зеленой инициативой памяти путем приходить вверх с eco-содружественным, новаторские продукты памяти обеспечивая высокий класс исполнения и энергетический коэффициент полезного действия каждый год,» сказал Дун Soo Июнь, президент, разделение памяти, Samsung Electronics. «Новая ДРАХМА DDR4 построит даже большое доверие в нашей самый современный зеленой памяти, в частности когда мы введем продукты (Gb) 4-гигабита DDR4-based используя технологический прочесс следующего поколени для применения основного направления.»

Новый модуль ДРАХМЫ DDR4 может достигнуть тарифов передачи данных 2,133 гигабит в секунду (Gbps) на 1.2V, сравненном к ДРАХМЕ 1.35V и 1.5V DDR3 на соответствующем технологическом прочессе 30nm-class, с скоростями до 1.6Gbps. Когда прикладной к тетради, он уменьшает расход энергии 40 процентами сравненными к модулю 1.5V DDR3.

Модуль использует Псевдо для того чтобы Раскрыть Сток (POD), новую технологию которая была приспособлена к высокопроизводительный графической ДРАХМЕ для того чтобы позволить ДРАХМЕ DDR4 для того чтобы уничтожить как раз половину электрического тока DDR3 читая и пишущ данные.

Путем использовать новое зодчество цепи, DDR4 Samsung будет работать от 1,6 до 3.2Gbps, сравненного к сегодняшним типичным скоростям 1.6Gbps для DDR3 и 800Mbps для DDR2.

Последний последний месяц, Samsung снабдил 1.2V модули памяти DDR4 2 гигабайтов (2GB) unbuffered двойные встроенные (UDIMM) создатель регулятора для испытывать.

Samsung теперь планирует работать близко с несколькими создателей сервера для того чтобы помочь обеспечить завершение шаблонизации JEDEC технологий DDR4 в второй половине этого года.

Samsung водил выдвижение технологии ДРАХМЫ с тех пор он начал ДРАХМУ ГДР индустрии первую в 1997. В 2001, он ввел первую ДРАХМУ DDR2, и в 2005, объявил первую ДРАХМУ DDR3 используя технологию 80nm-class.

Источник: http://www.samsung.com/

Last Update: 11. January 2012 13:55

Tell Us What You Think

Do you have a review, update or anything you would like to add to this news story?

Leave your feedback
Submit