Posted in | Nanoelectronics

Nieuw 4 GB van Samsung, 40 NM-klasse DDR3 Geheugen dat in de Servers van HP moet worden Gebruikt ProLiant

Published on January 18, 2011 at 4:15 AM

Co. van Samsung Electronics, Ltd, de wereldleider in geavanceerde geheugentechnologie, kondigde vandaag aan dat zijn nieuwe 4 (Gb) gigabit-gebaseerd laag de machts (nm)DDR3 geheugen van de 40 nanometerklasse in de servers van G7 van HP zullen worden gebruikt ProLiant.

De nieuwe 4Gb geheugentechnologie laat tot 100 percenten hogere geheugenprestaties toe dan wijd gebruikte 60nm-klasse 1Gb DDR2 de modules, terwijl het verbruiken van meer dan 84 percenten minder macht. Ook, 4Gb heft DDR3 de geregistreerde dubbele gealigneerde dichtheid van de geheugen (RDIMM)module aan 32GB op.

„Onze nieuwe 4Gb 40nm-klasse DDR3 verstrekt een ideale Groene oplossing voor serverfabrikanten die de onverzadigbare wens van het gegevenscentrum voor hogere prestaties, met hogere dichtheid bij lagere voltages,“ bovengenoemde Jim Elliott, ondervoorzitter, geheugen marketing en product planning, de Halfgeleider van Samsung, Inc. willen ontmoeten.

De „Cliënten kunnen algemene systeemprestaties optimaliseren en kosten laag houden door hoge capaciteit, technologie van het machts de efficiënte geheugen,“ bovengenoemde Jim Ganthier, ondervoorzitter van marketing, de StandaardServers van de Industrie en Software, HP leveraging. „Industrie-Leidende de servers van HP ProLiant met het geheugentechnologie van Samsung 4Gb worden gecombineerd staat cliënten toe om de server en de energieefficiency van het gegevenscentrum te verbeteren terwijl het versnellen van toepassingsprestaties die.“

Het Geheugen speelt vandaag een kritieke rol in het gegevenscentrum aangezien het snel stijgende gegevensverkeer vraag naar hogere geheugencapaciteiten drijft. De het centrummacht van Gegevens en de koelkwesties zijn hoogste van mening voor de managers van IT en van faciliteiten die worden uitgedaagd om hun operationele capaciteit uit te breiden en prestaties te optimaliseren, terwijl het verminderen van machtsconsumptie.

Een 16GB dubbele rang, 4Gb 40nm-klasse DDR3 baseerde geregistreerde DIMM (dubbele in-line geheugenmodule) verstrekt tot 67 percenten snellere prestaties dan een 16GB vierling weelderige RDIMM, en is geschikt voor het lopen 1333MHz bij twee DIMMs per kanaal (DPC). Dit vergelijkt bij een 16GB vierling weelderige snelheid van 800MHz bij 2DPC. Wanneer vergeleken bij 60nm-klasse op DDR2-Gebaseerde RDIMMs die bij 667MHz lopen, zo snel presteert een 16GB dubbele weelderige module van Samsung tweemaal.

Wanneer het over machtsconsumptie komt, gebruikt het uitrusten van 48GB met geheugendichtheid in een gebouwde server met de 40nm-klasse 4Gb DDR3 gebaseerde RDIMMs ook tot 84 percenten minder macht dan gebruikend 60nm-klasse 1Gb DDR2 gebaseerde modules.

Verder, verdubbelt een 32GB vierling weelderig Samsung DDR3 de algemene geheugencapaciteit in nieuwe dubbele bewerkerservers, die de maximumgeheugencapaciteit verbeteren tot 384GB van 192GB.

Bron: http://www.samsung.com/

Last Update: 11. January 2012 12:10

Tell Us What You Think

Do you have a review, update or anything you would like to add to this news story?

Leave your feedback
Submit