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Samsung Entwickelt Neues I, Bewegliches D-RAM O Unter Verwendung 50 nm die Klassen-Der Verfahrenstechnik

Published on February 21, 2011 at 4:13 AM

Samsung Electronics Co., Ltd., der Weltmarktführer in hoch entwickeltem Zweikanalmagnetbandelement, kündigte heute die Entwicklung 1 Gigabit (Gb) beweglichen D-RAM mit einer breiten EIN-/AUSGABE Schnittstelle an, unter Verwendung der Verfahrenstechnik der 50-nm-Klasse.

Das neue breite EIN-/AUSGABE bewegliche D-RAM wird in den beweglichen Anwendungen, wie Smartphones und Tablette PC verwendet.

„Die Entwicklung von D-RAM 4Gb LPDDR2 (Kleinleistungs-dynamischer Direktzugriffsspeicher DDR2) letztes Jahr Verfolgend stellt unsere neue bewegliche D-RAM-Lösung mit einer breiten EIN-/AUSGABE Schnittstelle einen beträchtlichen Beitrag zur Förderung von leistungsstarken beweglichen Produkten dar,“ sagte Byungse So, Senior-Vizepräsidenten, Datenspeicher-Produkt Planung u. Anwendungstechnik bei Samsung Electronics. „Wir fahren fort, unsere leistungsstarke bewegliche Datenspeicher-Produkt Zeile aggressiv zu erweitern, um das Wachstum der beweglichen Industrie weiter anzutreiben.“

Das neue breite EIN-/AUSGABE 1Gb bewegliche D-RAM kann Daten bei 12,8 Gigabyte pro (GB) Sekunde übertragen, die die Bandweite beweglichen DDR-D-RAM (1.6GB/s) achtfach erhöht, während Verringerungs-Leistungsaufnahme durch ungefähr 87 Prozent. Die Bandweite ist auch viermal, die vom D-RAM LPDDR2 (das ungefähr 3.2GB/s ist).

Um Datenübertragung aufzuladen, Samsungs verglichen breiter EIN-/AUSGABE D-RAM-Gebrauch 512 Kontaktstifte für Dateneingabe und Ausgabe mit der vorherigen Generation des beweglichen D-RAM, die ein Maximum von 32 Kontaktstiften verwendete. Wenn Sie die Kontaktstifte enthalten, die miteinbezogen werden, wenn man Befehls- und Regelnstromversorgung sendet, wird ein einzelnes Samsung breites EIN-/AUSGABE D-RAM konstruiert, um ungefähr 1.200 Kontaktstifte anzupassen.

Nach dieser breiten EIN-/AUSGABE D-RAM-Produkteinführung zielt Samsung darauf ab, 20nm-class 4Gb einmal im Jahre 2013 zur Verfügung zu stellen breites EIN-/AUSGABE bewegliches D-RAM. Die neuen Leistungen der Firma im beweglichen D-RAM umfassen die Einführung des ersten 50nm-class 1Gb LPDDR2 D-RAM im Jahre 2009 und des ersten 40nm-class 2Gb LPDDR2 im Jahre 2010.

Samsung stellt ein Papier dar, das auf breiter EIN-/AUSGABE D-RAM-Technologie bei der 2011 Internationalen Festkörperschaltkreis-Konferenz in Verbindung gestanden wird (ISSCC), die vom 20. bis zum 24. Februar in San Francisco angehalten wird.

Entsprechend iSuppli erhöht der Prozentsatz des beweglichen D-RAM von jährlichen D-RAM-totalversand von ungefähr 11,1 Prozent im Jahre 2010 auf 16,5 Prozent im Jahre 2014.

Quelle: http://www.samsung.com/

Last Update: 12. January 2012 19:26

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