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Samsung Développe I, MÉMOIRE VIVE DYNAMIQUE Mobile Neuf d'O Utilisant la Technologie De La Transformation de Classe de 50 nanomètre

Published on February 21, 2011 at 4:13 AM

Samsung Electronics Cie., Ltd, le leader mondial en technologie de stockage avancée, a aujourd'hui annoncé le développement de la MÉMOIRE VIVE DYNAMIQUE mobile (Gb) de 1 gigabit avec un Port d'i/o large, utilisant la technologie de la transformation de classe du nanomètre 50.

La MÉMOIRE VIVE DYNAMIQUE mobile d'E/S large neuve sera utilisée dans des applications mobiles, telles que des smartphones et des PCs de tablette.

« Suivant le développement de la MÉMOIRE VIVE DYNAMIQUE de 4Gb LPDDR2 (mémoire vive dynamique DDR2 de basse puissance) l'année dernière, notre solution mobile neuve de MÉMOIRE VIVE DYNAMIQUE avec un Port d'i/o large représente une cotisation significative à l'avancement des produits mobiles performants, » a dit Byungse Ainsi, vice-président principal, plan de développement des produits de mémoire et bureau d'études d'application chez Samsung Electronics. « Nous continuerons à augmenter agressivement notre ligne de produits mobile performante de mémoire pour actionner davantage l'accroissement de l'industrie du mobile. »

Large neuve La MÉMOIRE VIVE DYNAMIQUE mobile d'E/S 1Gb peut transmettre des données à 12,8 gigas (GB) par seconde, qui augmente la largeur de bande de la MÉMOIRE VIVE DYNAMIQUE de la RDA mobile (1.6GB/s) octuple, tout en réduisant la consommation d'énergie par approximativement 87 pour cent. La largeur de bande est également quatre fois qui de la MÉMOIRE VIVE DYNAMIQUE LPDDR2 (qui est environ 3.2GB/s).

Pour amplifier la boîte de vitesses de données, la MÉMOIRE VIVE DYNAMIQUE de l'E/S large de Samsung utilise 512 bornes pour l'entrée et sortie de données comparée au rétablissement précédent des Drachmes mobiles, qui ont utilisé un maximum de 32 bornes. Si vous incluez les goupilles qui sont concernées en envoyant le bloc d'alimentation de commandes et de réglementation, une seule MÉMOIRE VIVE DYNAMIQUE d'E/S large de Samsung est conçue pour faciliter approximativement 1.200 bornes.

Après ce lancement large de MÉMOIRE VIVE DYNAMIQUE d'E/S, Samsung vise à fournir la MÉMOIRE VIVE DYNAMIQUE mobile d'E/S large de 20nm-class 4Gb un jour ou l'autre en 2013. Les accomplissements récents de la compagnie dans la MÉMOIRE VIVE DYNAMIQUE mobile comprennent introduire la première MÉMOIRE VIVE DYNAMIQUE de 50nm-class 1Gb LPDDR2 en 2009 et le premier 40nm-class 2Gb LPDDR2 en 2010.

Samsung présentera un papier lié à la technologie large de MÉMOIRE VIVE DYNAMIQUE d'E/S à la Conférence Semi-conductrice Internationale de 2011 Circuits (ISSCC) étant retenue du 20 au 24 février à San Francisco.

Selon l'iSuppli, le pourcentage de la DRACHME mobile des expéditions annuelles totales de MÉMOIRE VIVE DYNAMIQUE grimpera d'environ 11,1 pour cent en 2010 jusqu'à 16,5 pour cent en 2014.

Source : http://www.samsung.com/

Last Update: 12. January 2012 18:45

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