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Système de MOCVD de GaN de Veeco Choisi pour la Recherche Avancée dans l'Électronique De Puissance

Published on March 1, 2011 at 1:59 AM

Veeco Instruments Inc. (Nasdaq : L'Institut de Technologie de VECO) aujourd'hui annoncé que Samsung A Avancé (SAIT) en Corée a sélecté le Système De Déposition De Vapeur Chimique Organique En Métal de Nitrure de Galliums de TurboDisc® K465i™ de Veeco (GaN (MOCVD)) pour GaN avancé sur la recherche de SI pour l'électronique de puissance.

Selon William J. Miller, Ph.D., Vice Président Exécutif des Affaires du Semi-conducteur Composé de Veeco, « Étant sélecté car un associé de recherches pour GaN sur le SI par SAIT est une victoire stratégique importante de R&D pour Veeco. Nous attendons avec intérêt de continuer à travailler avec SAIT pour commercialiser cette technologie pour la fabrication à fort débit des appareils électroniques GaN-basés d'alimentation électrique. »

Système De Déposition De Vapeur Chimique Organique En Métal de Nitrure de Galliums de TurboDisc® K465i™ de Veeco (GaN (MOCVD))

« On s'attend à ce que Le marché de l'électronique de puissance de GaN se développe sensiblement dans les années à venir, avec des applications possibles dans des dispositifs de rendement optimum de conversion de puissance, » selon JIM Jenson, Vice Président du Marketing pour les Affaires du Semi-conducteur Composé de Veeco. La technologie de la MOCVD de Veeco est bien positionnée pour servir ce marché émergent.

Le K465i comporte la technologie Uniforme de FlowFlange® de Veeco pour l'uniformité supérieure et l'excellente répétabilité passage passage à. La technologie Faible de TurboDisc de maintenance active la disponibilité de système la plus élevée, l'excellente performance de particules et le débit de haut. Le K465i production-prouvé fournit facilité-de-ajuster pour l'optimisation de traitement rapide sur des tailles de disque jusqu'à 8 pouces et usine rapidement le temps de rétablissement après maintenance.

Source : http://www.veeco.com/

Last Update: 12. January 2012 18:45

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