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Posted in | Nanoelectronics

La Plate-forme d'Endura Avenir Augmente des Contacts du Transistor 22nm

Published on March 28, 2011 at 2:46 AM

Par Cameron Chai

Les Matériaux Appliqués a récent ajouté aux applications de sa plate-forme Appliquée du RF PVD d'Endura Avenir pour comporter le dépôt des alliages (NiPt) de nickel-platine, pour augmenter des contacts de transistor évaluant au noeud de la technologie 22nm.

Plate-forme du RF PVD d'Endura Avenir de l'AM

Les films de NiPt augmentent la performance mais elle laisse un résidu au bas du rapport hauteur/largeur élevé (HAR). L'Avenir fournit la tolérance cohérente de contact et la sortie maximum. Il fournit la couverture inférieure plus de 50% dedans profondément, des trous de contact de HAR d'une façon rentable.

Le Rajah de Prabu, le vice président et le directeur général de la division de Produits de Dépôt En Métal, la technologie offre à des fabricants de circuits intégrés un moyen sûr de développer dur, transistor de faible-résistance entre en contact pour la construction rapide. Elle bénéficiera des applications de contact dans scénarios variés de logique et de fonderie.

Elle a été encastrée dans l'Endura, une technologie de PVD avec la radio frequency accrue qui a été introduite en 2010, pour combiner la technologie de transistor de porte en métal avec les solutions performantes de logique. Cette caractéristique technique permet à des révélateurs de déposer les feuilles cohérentes de NiPt au plus bas de gamme des trous minces et profonds de contact avec un diamètre de moins que 30nm. Cette caractéristique technique est idéale pour la tolérance faible de contact et le maximum de performance de transistor.

Source : http://www.appliedmaterials.com

Last Update: 12. January 2012 18:08

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