Site Sponsors
  • Oxford Instruments Nanoanalysis - X-Max Large Area Analytical EDS SDD
  • Park Systems - Manufacturer of a complete range of AFM solutions
  • Strem Chemicals - Nanomaterials for R&D
Posted in | Nanoelectronics

Endura Avenir Платформа Увеличивает 22 нм транзистор Контакты

Published on March 28, 2011 at 2:46 AM

По Камерон Чай

Applied Materials недавно добавила к приложениям своей прикладной Endura Avenir РФ PVD платформы включить осаждения никель-платина (NiPt) сплавы, для увеличения масштаба транзистора контакты с 22 нм технологией узла.

Endura AM в Avenir РФ PVD платформы

NiPt фильмов повышения производительности, но она оставляет осадок на дне большого удлинения (HAR). Авенир обеспечивает последовательное толерантности контакт и максимальную производительность. Он обеспечивает более 50% нижнего покрытия в глубоких, HAR контакт отверстия в экономически эффективным способом.

Prabu Раджа, вице-президент и генеральный менеджер подразделения металлов разделение осаждения Продукты, технологии чипов предлагает безопасный способ разработки жесткой, низким сопротивлением транзистора контактов для быстрого строительства. Это принесет пользу контактов применение в различных логики и литейного сценариев.

Он был встроен в Endura, технологии PVD с повышением радиочастотной, которая была введена в 2010 году, чтобы объединить металлическим затвором транзистора технологии высокопроизводительных решений логики. Эта функция позволяет разработчикам депозита соответствует листов NiPt на нижнем конце тонкий, глубокий контакт с отверстиями диаметром менее 30 нм. Эта функция идеально подходит для низкой толерантностью контакт и максимальную производительность транзистора.

Источник: http://www.appliedmaterials.com

Last Update: 15. November 2011 13:44

Tell Us What You Think

Do you have a review, update or anything you would like to add to this news story?

Leave your feedback
Submit