Site Sponsors
  • Park Systems - Manufacturer of a complete range of AFM solutions
  • Strem Chemicals - Nanomaterials for R&D
  • Oxford Instruments Nanoanalysis - X-Max Large Area Analytical EDS SDD
Posted in | Nanoelectronics

艾文莉平台的Endura提高22nm的晶體管聯繫

Published on March 28, 2011 at 2:46 AM

由Cameron灣仔

應用材料公司最近增加了其應用的Endura艾文莉射頻物理氣相沉積平台,採用鎳鉑(NiPt)合金的沉積,增加晶體管的交往擴展到22納米技術節點的應用程序。

AM的的Endura艾文莉射頻 PVD平台

NiPt電影提高性能,但它留下了殘留的高寬比(HAR)的底部。 AVENIR提供一致的接觸寬容和最大輸出。它提供了在深,接觸孔(HAR)在成本效益的方式的底部覆蓋率超過 50%。

Prabu拉賈,金屬沉積產品部副總裁兼總經理,該技術的芯片製造商提供一個安全的方式來發展堅韌,低電阻快速施工的晶體管接觸。這將有利於接觸應用,在不同的邏輯和鑄造情景。

它已經嵌入到的Endura,與無線電頻率增加是在2010年推出的PVD技術,結合高性能的邏輯解決方案的金屬柵極晶體管技術。此功能允許開發人員在低端苗條,直徑小於 30nm的接觸孔深一致NiPt張存款。此功能是低接觸的寬容和最大的晶體管性能的理想選擇。

來源: http://www.appliedmaterials.com

Last Update: 6. October 2011 12:14

Tell Us What You Think

Do you have a review, update or anything you would like to add to this news story?

Leave your feedback
Submit