Os Pesquisadores Introduzem a Espectroscopia Ângulo-Resolved da Fotoemissão do Raio X Duro (HARPES)

Published on August 29, 2011 at 4:03 AM

Por Cameron Chai

Os Pesquisadores no Laboratório Nacional de Lawrence Berkeley (Laboratório de Berkeley) do Ministério de E.U. de Energia (DOE) desenvolveram uma técnica nova do Raio X chamada a espectroscopia ângulo-resolved da fotoemissão do raio X duro (HARPES).

Cinza de Alexander e Charles Fadley, Laboratório Nacional de DOE/Lawrence Berkeley

Charles Fadley, um físico que conduzisse a revelação de HARPES, indicado que HARPES pode ser usado para investigar a estrutura eletrônica maioria de todo o material, com menos impactos de reacções da contaminação ou da superfície. Esta técnica pode estudar as relações e as camadas escondidas que são onipresentes em dispositivos do nanoscale e são importantes para elementos de lógica minúsculos na arquitetura original da memória da eletrônica no spintronics, assim como na conversão de energia altamente eficiente nos dispositivos tais como pilhas fotovoltaicos, adicionou.

Os pesquisadores relataram a demonstração bem sucedida da tecnologia de HARPES em um papel intitulado, ` que Sonda a estrutura eletrônica maioria com fotoemissão ângulo-resolved do Raio X duro,' no jornal dos Materiais da Natureza.

Cinza de Alexander, uma filial com Divisão de Ciências dos Materiais do Laboratório de Berkeley e um membro do grupo de investigação de Davis da Universidade Da California de Fadley, indicado que a chave a estudar a estrutura eletrônica maioria é a utilização dos Raios X duros que são Raios X que possuem energias altas do fotão para se emitir fotoelectrão de profundamente sob a superfície de um material contínuo. Os fotão Alta-tensão transmitem energias cinéticas altas aos fotoelectrão emissores, fazendo os para passar com umas distâncias mais longas dentro do material contínuo, que permitam por sua vez que o analisador detecte mais do sinal obtido do volume, ele disseram.

Para a demonstração das funcionalidades da técnica de HARPES, os pesquisadores utilizaram um beamline do undulator da alta intensidade na facilidade da radiação de synchrotron SPring8 situada em Hyogo, Japão. O Instituto Nacional Japonês para Ciências de Materiais é o operador da facilidade. Durante o estudo, a técnica de HARPES permitiu que os pesquisadores estudassem até uma profundidade de 60 Å no volume de únicos cristais do arsenieto de gálio e do tungstênio. Os pesquisadores usaram um espectrómetro sofisticado do elétron para medir ângulos e energias assim como as fontes luminosas de terceira geração que podem produzir feixes fortes de Raios X duros.

Source: http://www.lbl.gov

Last Update: 11. January 2012 06:08

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