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研究員引入困難 X-射線角度解決的光射分光學 (HARPES)

Published on August 29, 2011 at 4:03 AM

卡梅倫柴

勞倫斯伯克利國家實驗室的 (伯克利實驗室) 研究員美國能源部 (DOE)開發了稱困難 X-射線角度解決的光射分光學的新穎的 X-射線技術 (HARPES)。

亞歷山大灰色和查爾斯 Fadley, DOE/Lawrence 伯克利國家實驗室

查爾斯 Fadley,導致 HARPES 發展的物理學家,闡明, HARPES 可以用於調查所有材料批量電子結構,與汙穢或表面回應的少量影響。 此技術可能學習是無所不在 nanoscale 設備并且對在電子唯一內存結構的微小的邏輯元件是重要在 spintronics 的隱藏的界面和層,以及在設備的非常有效率的能量轉換例如光電池,他補充說。

研究員報告了 HARPES 技術的成功的演示在題為的文件的,與困難 X-射線角度解決的光射的 ` 探通的批量電子結構』,在本質材料日記帳上。

亞歷山大灰色、一個子公司有伯克利實驗室的材料學分部的和 Fadley 的加州大學的成員迪維斯研究小組,闡明,關鍵字的學習批量電子結構 是擁有高光子能源的 X-射線散發光電子從深深在一種固體物料的表面下困難 X-射線的利用率。 高能光子傳達高動能給散發的光電子,做他們穿過在固體物料裡面的更長的距離,反之允許這個分析程序檢測從批量項目貨簽得到的更多這個信號,他說。

对 HARPES 技術的功能的演示,研究員使用一高強度 undulator beamline 在位於兵庫的 SPring8 同步輻射設備,日本。 材料學日本國家學院是這個設備的運算符。 在這個研究期間, HARPES 技術允許研究員學習至 60 个 Å 的深度到大多數砷化鎵和鎢單晶。 研究員使用一臺複雜的電子分光儀評定可能導致困難 X-射線嚴格的射線的角度和能源以及第三代光源。

來源: http://www.lbl.gov

Last Update: 26. January 2012 23:46

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