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Posted in | Nanoelectronics

Samsung annonce le développement de 30 nm de classe DRAM basée sur les processus LPDDR3

Published on September 30, 2011 at 4:33 AM

Par Cameron Chai

Lors du Forum Samsung Mobile Solutions huitième édition annuelle menée au Westin Taipei, Samsung Electronics a proclamé qu'il a développé une première en son genre monolithiques 4 Gb de faible puissance à double débit de données 3 (LPDDR3) de mémoire en utilisant 30 nm processus de classe la technologie pour soutenir graphiques en trois dimensions, des écrans à résolution ultra rapide et des transformateurs dans les pays avancés future génération des appareils mobiles.

LPDDR3 DRAM

Le roman 4Gb LPDDR3 DRAM a un taux de transfert de données allant jusqu'à 1600 Mbps, ce qui est de 1,5 plis plus rapide par rapport au taux de transfert de données de 1066 Mbps de l'LPDDR2 existants. La consommation d'énergie électrique par le nouveau composant est 20% moindre que son précurseur. Par ailleurs, Samsung va permettre l'utilisation d'un forfait 1 Go LPDDR3 seule qui a un taux de transfert de données d'un maximum de 12,8 Gbps grâce à l'empilement des puces deux 4 Gb.

Afin de satisfaire la demande croissante de solutions de haute densité de mémoire mobile pour le traitement de données énorme, le taux de transfert optimal des données de la DRAM mobile pour mobile avancé d'équipement augmentera de 1 Go (8 Go) à un maximum de 2 Go (16 Go) d'ici le début 2012. Ces densités seront offerts par l'empilement de quatre numéros de puces LPDDR3 4Gb.

Samsung fournira les échantillons de la puce 4Gb basé LPDDR3 aux grands fabricants d'appareils mobiles à partir du prochain trimestre. Les puces sont prévues pour gagner une large acceptation en 2012 dans sophistiqués appareils mobiles tels que les tablettes PC de future génération et les smartphones.

Source: http://www.samsung.com

Last Update: 23. October 2011 20:01

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