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Samsung Anuncia uma Revelação 30 da GOLE Processo-Baseada Classe do nanômetro LPDDR3

Published on September 30, 2011 at 4:33 AM

Por Cameron Chai

No oitavo Fórum Móvel anual das Soluções de Samsung conduzido em Westin Taipei, Samsung Electronics proclamou que desenvolveu 4 uma memória monolítica primeiro--um-amável da dobro-dados-taxa 3 da baixa potência do Gb (LPDDR3) que utiliza uma tecnologia de processamento de 30 nanômetro-classes para apoiar os gráficos tridimensionais, ultra indicadores da definição e uns processadores mais rápidos nos dispositivos móveis da futura geração avançada.

GOLE LPDDR3

A GOLE da novela 4Gb LPDDR3 tem uma taxa de transferência dos dados de até 1.600 Mbps, que seja 1,5 dobras mais rapidamente quando comparada à taxa de transferência dos dados de 1.066 Mbps do LPDDR2 existente. O consumo de corrente eléctrica pelo componente novo é 20% menos do que seu precursor. Além Disso, Samsung permitirá a utilização de um único pacote de 1GB LPDDR3 que tenha uma taxa de transferência dos dados de um máximo de 12,8 GBps com do empilhamento de duas microplaquetas de 4 Gb.

A fim cumprir o aumento da procura para soluções móveis high-density da memória para o processamento de dados enormes, a taxa de transferência óptima dos dados de GOLE móvel para equipamento móvel avançado aumentará de 1GB (8Gb) a um máximo de 2GB (16Gb) ao princípio de 2012. Estas densidades serão oferecidas empilhando quatro números de microplaquetas de 4Gb LPDDR3.

Samsung fornecerá as amostras da microplaqueta de 4Gb-based LPDDR3 aos fabricantes principais do dispositivo móvel do quarto seguinte. As microplaquetas são antecipadas para ganhar a aceitação larga em 2012 em dispositivos móveis sofisticados tais como PCes e smartphones da tabuleta da futura geração.

Source: http://www.samsung.com

Last Update: 12. January 2012 13:23

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