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Posted in | Nanoelectronics

L'Étude Explique des Avantages de Technologie de FD-SOI pour 20 et 28 Noeuds De Processus de nanomètre

Published on December 13, 2011 at 1:38 AM

Par Cameron Chai

Selon une recherche d'articulation effectuée par GLOBALFOUNDRIES, BRAS. IBM, les STMicroelectronics et d'autres entreprises importantes de semi-conducteurs pour produire 28 puces de nanomètre utilisant le procédé entièrement épuisé du silicium-sur-isolant (FD-SOI), les dispositifs de semi-conducteur planaires établis sur des substrats de FD-SOI sont capables de fournir les avantages significatifs de performance et d'alimentation électrique si comparés aux dispositifs de CMOS fabriqués sur des substrats de volume-silicium.

Les découvertes ont également confirmé que la performance des dispositifs de FD-SOI sont capable d'apparier la performance assurée par des dispositifs de FinFET de 20 et 28 noeuds de technologie de la transformation de nanomètre au plus précoce. Dans la démonstration des simulations silicium-étalonnées des circuits compliqués comportant les contrôleurs mémoire DDR3 et les noyaux de BRAS au noeud de 28 nanomètre, la technologie de FD-SOI a fourni des performances supérieures au-dessus de technologie en vrac de CMOS même pendant abaisser du bloc d'alimentation.

La technologie de FD-SOI fournit des performances optimales équivalentes à celle des technologies d'usage universel inétanches, à une alimentation électrique de fuite et à l'alimentation électrique dynamique moins que cela peut être réalisé par des technologies de basse puissance. Les 28 chemins critiques du circuit du nanomètre FD-SOI à 0,6 V étaient deux fois plus rapidement que cela de la technologie de basse puissance et de 50% plus rapides que celle de la technologie d'usage universel.

La technologie de FD-SOI absorbe 40% moins d'alimentation électrique en employant un bloc d'alimentation inférieur pour réaliser la fréquence égale d'objectif. Elle permet le fonctionnement de tous les designs des appareils numériques tels que SRAMS à un bloc d'alimentation inférieur. La technologie a également confirmé ces avantages aux 20 simulations de noeud de nanomètre.

À l'alimentation électrique totale régulière et basé sur des efforts d'optimisation de design, les performances optimales de la technologie de FD-SOI étaient de 12% à 30% plus élevés que celui de la technologie en vrac particulièrement conçue pour la système-sur-puce (SOC). Elles ont absorbé 22% à 40% moins d'alimentation électrique à la fréquence optimale cohérente d'opération et sa performance de basse puissance a été augmentée de 65%. Le Directeur Exécutif du Consortium Industriel de SOI, Horacio Mendez a déclaré que le FD-SOI fournit également le risque minimal de production si comparé à FinFET dû à sa capacité pour renfermer des designs planaires.

Source : http://www.soiconsortium.org

Last Update: 12. January 2012 14:25

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