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Posted in | Nanoelectronics

研究展示 FD-SOI 技术的福利 20 个和 28 个毫微米处理节点的

Published on December 13, 2011 at 1:38 AM

卡梅伦柴

根据 GLOBALFOUNDRIES 进行的联接研究,胳膊。 IBM、 STMicroelectronics 和其他主要半导体固定生产的 28 个毫微米筹码使用充分地被耗尽的绝缘体上硅薄膜 (FD-SOI) 进程,在 FD-SOI 基体建立的平面半导体设备能够提供重大的性能和功率福利,当与在批量项目货签硅基体制造的 CMOS 设备比较。

发现也确认 FD-SOI 设备的性能能够符合 20 个和 28 个毫微米加工技术节点 FinFET 设备保证的性能最早。 在复杂电路的硅被校准的模拟的演示包括 DDR3 内存管理员和胳膊核心的在 28 毫微米节点, FD-SOI 技术提供了在批量 CMOS 技术的优越性能即使在降低供电期间。

FD-SOI 技术比那可以由低功率技术提供最佳性能等同与那漏的通用技术,在损失功率和动态功率较少达到。 在 0.6 V 的 28 nm FD-SOI 电路的关键路径比那比那快速地是二折叠低功率技术和 50% 快速通用技术。

FD-SOI 技术通过使用一件低功率用品达到等于目标频率消耗 40% 较少功率。 它允许数字式设备所有设计的运算例如 SRAMS 在一件低功率用品。 技术也确认了这些福利在 20 毫微米节点模拟。

在平稳的总功率和基于设计最优化工作成绩, FD-SOI 技术的最佳性能高于为系统在筹码特殊地设计的那是 12% 到 30% 批量技术 (SOC)。 它消耗了 22% 到 40% 较少功率以一致的最佳的操作频率,并且 65% 增加其低功率性能。 SOI 行业财团的执行董事,霍拉西奥门德斯阐明, FD-SOI 也提供最小的生产风险,当与 FinFET 比较由于其功能安置平面设计。

来源: http://www.soiconsortium.org

Last Update: 12. January 2012 14:21

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