Tegal は残りの Nano 層の沈殿パテントのポートフォリオを販売し議論を続けます

Published on February 16, 2012 at 12:58 AM

カメロンシェ著

Tegal はそれが半導体プロセスに関して nano 層の沈殿パテントのポートフォリオの第 4 ロットを販売する議論に現在あると宣言しました。

残りのポートフォリオは低k 誘電体および銅の障壁の技術に関して薄膜の加工技術および構造をカバーします。 Tegal は 2011 年 12 月 30 日に総量の大体 $4 百万のために何人かの入札者に 30 以上のパテントを、構成する nano 層の沈殿パテントのポートフォリオのロットを 1-3 販売しました。 資本設備の製造業者は知的財産のアグリゲータおよび IC 装置が製造業者 (IP)第 4 ロットの興味を示している一方、これらのパテントの興味を示しました。

統合されたプロセスは多孔性の低k フィルムを使用する洗練された低k 誘電体のためのあらゆる統合された処理方法の必要な段階です。 さらに、 Tegal のパテントのポートフォリオは化学気相堆積、 nano 層の沈殿、 Mo、 Ru または Cu のバリヤー層、付着の層およびシードの層のような多重層の原子層の沈殿のためにより重要であることをなった銅のメタライゼーションの作戦の付着の層そして合成のバリヤー層のための解決から成り立ちます。

原子層の沈殿方法および派生物との既存の物理的な蒸気沈殿方法への代理は Cu の拡散の改善されたステップ適用範囲、より高いアスペクトレシオおよび制御のための条件を達成するために探索されています。 これらの必要は洗練された CMOS 装置のより低いメタライゼーションの層でそれから洗練されたメタライゼーションスキームの正確な制御の要求を、特に高めます。

物理的な蒸気沈殿方法のステップ適用範囲の制限を壊すため、開発者は原子層の正確さのシード、付着およびバリヤー層および化学量論、均等性および厚さの制御構築するための nano 層の沈殿によってそして原子層の沈殿技術あります。 Tegal のパテントによって、 IP のアグリゲータおよび IC の開発者は特に物理的な蒸気沈殿からの原子層の沈殿および他の層によ層方法に変形にとって理想的な洗練されたメタライゼーションスキームのための彼らのパテントのポートフォリオを増強できます。

ソース: http://www.tegal.com/

Last Update: 18. February 2012 08:14

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