Neue Graphene-Steppdecken-Abkühlende Technik für Starke Halbleiterbauelemente

Published on May 10, 2012 at 4:10 AM

Durch G.P. Thomas

Ein Forschungsteam von University of California, Flussufer Bourns-College der Technik hat eine abkühlende Technik unter Verwendung graphene multilayers entwickelt, um Wärme vom Galliumnitrid, ein Halbleitermaterial zu löschen, das in den verschiedenen Anwendungen verwendet wird, die von Elektroautos zu Ampeln reichen.

Alexander Balandin, Mitte, Stände mit zwei seiner Studenten im Aufbaustudium, Guanxiong Liu (gelassen) und Zhong Yan (recht) (Kredit: University of California, Flussufer)

Diese neue Technik ebnet die Methode, den Marktanteil und die Anwendungen von Galliumnitridelektronik zu erweitern. Das Nano--Einheit Labor-Forschungsteam, das von Alexander Balandin vorangegangen wird, hat gezeigt, dass die Implementierung von Alternativ-Wärme-entweichenden Kanälen unter Verwendung graphene multilayers in der Lage waren, die Temperatur von brenzligen Stellen in den Galliumnitridtransistoren durch bis zu 20°C. zu senken.

Diese Reduzierung in der Temperatur, die durch den Gebrauch von graphene, ein überlegener Wärmeleiter erzielt wird, kann die Lebensdauer des Transistors durch einen Faktor von 10, eine Durchbruchtransformation im thermischen Management erhöhen.

Gegenteil zu den Halbleiter- oder Metallfilmen, Wenigschicht graphene Filme kann ihre überlegenen thermischen Eigenschaften sogar an einer Stärke weniger nm beibehalten. Das Forschungsteam konstruierte und führte Graphenegraphit-` Steppdecken' auf Galliumnitridtransistoren ein. Anders Als traditionelle Steppdecken war Zweck der Graphenegraphitsteppdecken', die Wärme von den brenzligen Stellen wegzunehmen und auszubreiten.

Das Forschungsteam verwendete spektralanalytischen Thermometry MikroRamans, um zu zeigen, dass Temperatur der brenzligen Stellen' durch 20°C in den Galliumnitridtransistoren verringert werden kann, die an den höheren Leistungspegeln funktionieren. Unter Verwendung der Computersimulationen entdeckte das Team, dass die Leistung von graphene Steppdecken in den Galliumnitridtransistoren auf Substratflächen höher sein kann, die hohen thermischen Widerstand haben.

Die Studienergebnisse sind im Zapfen, Natur-Nachrichtenübermittlung gemeldet worden.

Quelle: http://www.ucr.edu/

Last Update: 12. December 2013 16:46

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