強力な半導体デバイスのための Graphene の新しいキルトの冷却の技術

Published on May 10, 2012 at 4:10 AM

G.P. 著トマス

の工学の川岸の Bourns の大学カリフォルニア大学からの調査チームは graphene の multilayers を使用してガリウム窒化物、電気自動車から信号まで及ぶさまざまなアプリケーションで利用される半導体材料から熱を取除くために冷却の技術を開発しました。

彼の大学院生の 2 のアレキサンダー Balandin、中心、立場、 Guanxiong 劉 (残っている) および Zhong 沿 (右の) (信用: の川岸カリフォルニア大学)

この新しい技術はガリウム窒化物の電子工学の市場占有率そしてアプリケーションを拡大する道を開きます。 アレキサンダー Balandin によって先頭に立たれる Nano 装置実験室の調査チームは graphene の multilayers を使用して代わりの熱脱出チャネルの実施が 20°C. までによってガリウム窒化物のトランジスターのホットスポットの温度を下げられたことを示しました。

graphene の使用、優秀な熱のコンダクターによって達成される温度のこの減少は 10 の要因、熱管理の進歩の変形によってトランジスターの操作生命を高めることができます。

半導体または金属のフィルム、少数層の graphene のフィルムへの反対は少数のナノメーターの厚さで優秀な熱特性を保つことができます。 調査チームはガリウム窒化物のトランジスター頂上 graphene グラファイトの ` のキルトを」設計し、実行しました。 従来のキルトとは違って、 graphene グラファイトのキルトの」目的は熱をホットスポットから取り除き、広がることでした。

調査チームはホットスポットの」温度が高い発電のレベルで動作するガリウム窒化物のトランジスターの 20°C によって減らすことができることを示すのにマイクロラマン分光温度測定を使用しました。 計算機シミュレーションを使用して、チームは graphene のキルトのパフォーマンスが高い熱抵抗がある基板のガリウム窒化物のトランジスターでより高い場合もあることを検出しました。

調査の結果はジャーナル、性質の通信連絡で報告されました。

ソース: http://www.ucr.edu/

Last Update: 12. December 2013 16:50

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