Site Sponsors
  • Oxford Instruments Nanoanalysis - X-Max Large Area Analytical EDS SDD
  • Strem Chemicals - Nanomaterials for R&D
  • Park Systems - Manufacturer of a complete range of AFM solutions

Новый Метод Nanomaterials для того чтобы Начать более Лучшую Электронику

Published on June 12, 2012 at 7:15 AM

Волей Soutter

Научно-исследовательская группа от Лаборатории Argonne Национальной Министерства Энергетики США изобретала романный метод который способен drastically увеличивать эффективность и понижать цену изготовлять различные типы semiconducting материалов.

Это изображение показывает каналы вытравленные используя последовательный синтез инфильтрата, которому научные работники на Argonne использовали для того чтобы создать характеристики которые имеют высокие коэффициенты сжатия - т.е., они далеко более глубоко чем широко. Эти crevasses позволят творение нового поколения semiconducting материалов

Новаторский метод выполняет некоторые предпосылки международной дорожной карты ` полупроводника' на 2022. В настоящее время, фотолитография использована для того чтобы сделать картины полупроводника выборочно извлекать части тонкого фильма. Вытравливание картины, также известное как сопротивляет, в полупроводник сделано путем подвергать действию к ионизированному газу. Однако, сопротивлять также вытравлен прочь этим газом, таким образом уменьшающ reusability этого фильма. Сильно прочно сопротивляет термин как трудные маски.

Милочка Seth, nanoscientist на Лаборатории Argonne Национальной, информированной которой сброс давления домена барьер для того чтобы изготовить более малые компоненты полупроводника. Исследователя не могл все еще найти разрешение для того чтобы исключить этот сброс давления.

Милочка и коллегаы изобрели вызванный метод последовательным синтезом инфильтрата (SIS) в 2010. Метод растет грубые неорганические материалы внутри мягкий фильм полимера используя газы. Офис ЛАНИ Науки поддержал исследование через Argonne-Северозападный Исследовательскийа Центр Солнечной Энергии и Центр Argonne для Материалов Nanoscale.

SIS во избежание польза трудных маск в фотолитографии, сказал Милочке. Это одно из главных преимуществ SIS по мере того как трудные маски сложны, дорогостояще, уменьшают качество картины и увеличивают отростчатые шаги. Главные компании полупроводника уже узнавали SIS как технология способная адресовать различные сложные возможности.

Милочка и коллегаы недавно продемонстрировали возможность SIS' исключать сброс давления картины и позволять продукции материалов с более высокими картинами коэффициента сжатия. Милочка заявила что одна из ключевых выгод этой демонстрации возможность использовать SIS для фотолитографии, критический промышленный процесс.

Источник: http://www.anl.gov

Last Update: 12. June 2012 07:49

Tell Us What You Think

Do you have a review, update or anything you would like to add to this news story?

Leave your feedback
Submit