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开发更好的电子的新的 Nanomaterials 技术

Published on June 12, 2012 at 7:15 AM

由意志 Soutter

从美国能源部的 Argonne 国家实验室的研究小组构想了能够猛烈提高这张效率和降低制造半导体的材料的多种类型的费用的新颖的技术。

即此图象比宽显示使用连续滤渗综合被铭刻的通道, Argonne 的科学家曾经创建功能有高长宽比 -,他们深。 这些裂隙将允许建立半导体的材料的新一代

创新技术在 2022年执行国际半导体 ` 模式的某些前提条件’。 当前,有选择性去除薄膜的部分用于石版影印做半导体模式。 模式的蚀刻,亦称抵抗,到这个半导体由显示完成在被电离的气体。 然而,抵抗由此气体也铭刻,因而减少此影片的可再用性。 高度耐久抵抗被命名作为困难屏蔽。

Seth 亲爱的,在 Argonne 国家实验室的一 nanoscientist,通知域折叠是制造的障碍更小的半导体要素。 研究员仍然不能查找解决方法消灭此折叠。

亲爱的和同事在 2010年构想了称连续滤渗综合的 (SIS)方法。 使用气体,这个技术生长在一部软的聚合物影片内的坚韧无机材料。 科学母鹿办公室通过 Argonne 西北太阳能研究中心和 Argonne 的中心支持这个研究 Nanoscale 材料。

SIS 避免使用在石版影印的困难屏蔽,说亲爱的。 这是其中一个 SIS,因为困难屏蔽是复杂的,高费用、减少模式质量和增量处理步骤的主要好处。 主要半导体公司已经认可了 SIS 作为技术能够解决多种复杂挑战。

亲爱的和同事最近展示了消灭模式折叠和允许材料的生产的 SIS’功能与更高的方面比例模式的。 亲爱的阐明,一个此演示的关键利益是使用 SIS 的可能性石版影印的,一种重要工业生产方法。

来源: http://www.anl.gov

Last Update: 12. June 2012 07:47

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