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STMicroelectronics 在 20 个毫微米和 28 个毫微米节点使用充分地被耗尽的绝缘体上硅薄膜技术

Published on June 13, 2012 at 2:45 AM

由意志 Soutter

通过使用在 20 个毫微米和 28 个毫微米节点的充分地被耗尽的绝缘体上硅薄膜 (FD-SOI) 技术 GLOBALFOUNDRIES 制造 STMicroelectronics 的设备。 STMicroelectronics,此技术的经营者,是提供其客户的全世界半导体领导先锋以电子应用的范围。

有其及时的可用性的 FD-SOI 设备和大容积可能执行对片剂和巧妙的电话的市场需要处理多媒体、有吸引力的图象和宽频连通性高速,无需影响电池的产品使用期限。

FD-SOI 设备用于替换不能提供最佳性能不增加这个温度和排泄电池的产品使用期限常规晶体管和收缩的几何的用量。 晶体管充分地被耗尽和能够使用低活动电源、低候补功率和高山性能用于改进多媒体与非常好的节能的汇合应用性能。

FD-SOI 技术允许 STMicroelectronics 提供与其他公司比较的传送的时期事先充分地被耗尽的设备。 在 2012年 7月前, 28 个毫微米 FD-SOI 生成准备好原型,并且 20 个毫微米 FD-SOI 生成在 2013年之前准备好。

FD-SOI 来源补充能力被 STMicroelectronics 增加了通过补充公司的内部制造过程在 Crolles,法国以 GLOBALFOUNDRIES’工业量。 STMicroelectronics 计划允许 GLOBALFOUNDRIES 的其他合作伙伴存取 FD-SOI 技术为了允许其合作伙伴开发与先进技术的产品在 20 毫微米和 28 个毫微米节点。

Joel Hartmann、总公司 VP、数字式 STMicroelectronics 部门和期初制造和进程 R&D,保证提供公司顾客以包括片剂和无线应用用量的福利。 菲利普角 Magarshack 总公司 VP、设计启动和服务,对 FD-SOI 重大的性能也评论甚而在与高能效率的低压。

来源: http://www.st.com/

Last Update: 13. June 2012 03:56

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