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STMicroelectronics 在 20 個毫微米和 28 個毫微米節點使用充分地被耗盡的绝緣體上硅薄膜技術

Published on June 13, 2012 at 2:45 AM

由意志 Soutter

通過使用在 20 個毫微米和 28 個毫微米節點的充分地被耗盡的绝緣體上硅薄膜 (FD-SOI) 技術 GLOBALFOUNDRIES 製造 STMicroelectronics 的設備。 STMicroelectronics,此技術的經營者,是提供其客戶的全世界半導體領導先鋒以電子應用的範圍。

有其及時的可用性的 FD-SOI 設備和大容積可能執行對片劑和巧妙的電話的市場需要處理多媒體、有吸引力的圖像和寬頻連通性高速,无需影響電池的產品使用期限。

FD-SOI 設備用於替換不能提供最佳性能不增加這個溫度和排泄電池的產品使用期限常規晶體管和收縮的幾何的用量。 晶體管充分地被耗盡和能够使用低活動電源、低候補功率和高山性能用於改進多媒體與非常好的節能的匯合應用性能。

FD-SOI 技術允許 STMicroelectronics 提供與其他公司比較的傳送的時期事先充分地被耗盡的設備。 在 2012年 7月前, 28 个毫微米 FD-SOI 生成準備好原型,并且 20 个毫微米 FD-SOI 生成在 2013年之前準備好。

FD-SOI 來源補充能力被 STMicroelectronics 增加了通過補充公司的內部製造過程在 Crolles,法國以 GLOBALFOUNDRIES』工業量。 STMicroelectronics 計劃允許 GLOBALFOUNDRIES 的其他合作夥伴存取 FD-SOI 技術為了允許其合作夥伴開發與先進技術的產品在 20 毫微米和 28 個毫微米節點。

Joel Hartmann、總公司 VP、數字式 STMicroelectronics 部門和期初製造和進程 R&D,保證提供公司顧客以包括片劑和無線應用用量的福利。 菲利普角 Magarshack 總公司 VP、設計啟動和服務,對 FD-SOI 重大的性能也評論甚而在與高能效率的低壓。

來源: http://www.st.com/

Last Update: 13. June 2012 03:56

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