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Posted in | Nanofabrication

Bedeutender Durchbruch in EUV-Maske Deckt Defekt-Reduzierung mit Anlage Veeco IBD ab

Published on September 15, 2012 at 7:59 AM

Durch Cameron Chai

SEMATECH, eine internationale Halbleitervereinigung, die sich bemüht, Halbleiterchip-Herstellung durch Forschung und Entwicklung Aktivitäten voranzubringen, einen beträchtlichen Durchbruch in der Defektreduzierung von der mehrschichtigen Absetzungstechnik vor kurzem berichtet angenommen, um Maskenabdeckungen aufzubereiten, die Anwendungen in der extremen ultravioletten Lithographie haben (EUVL).

SEMATECH erzielte die beträchtliche Defektreduzierung, indem es die VERBINDUNG Niedrige Anlage der Defekt-Dichte-IonenTräger-Absetzungs-(LDD IBD) einsetzte, die durch Veeco-Instrumente entwickelt wird.

EUV-Masken werden fabriziert, indem man Ionenträger-Absetzungshilfsmittel verwendet. Ein Chip wird auf einem Halbleiterwafer konstruiert, indem man die nmschuppenmuster auf der EUV-Maske auf dem Halbleiterwafer vorsteht. Der Prozess erfordert zwingende Fehlerkontrolle für die EUV-Masken, weil eine Maske während seiner Lebenszeit verwendet werden könnte, um mehr als sechs Million Halbleiterchips zu kopieren. Aktuelle und bevorstehende Generationen von tragbaren Geräten setzen Chips mit kleineren Geometrie ein und benötigen sie auch, hochrangige Leistung und Leistung zu kennzeichnen. Dieses ist, wohin EUV-Masken, die neue Technologie enthalten, in die Abbildung kommen.

Zwei kritische Aspekte, welche die Generation von Fotomasken der neuen Technologie EUV für die einzelnen sowie mehrschichtigen Prozesse regeln, sind vollständige Kontrolle über optischen Eigenschaften und sehr niedrige Partikelabsetzungsstufen. Die IBD-Anlagen von Veeco-Instrumentierung ermöglichen die Produktion solchen Filmes der hohen Qualität für hoch entwickelte EUV-Masken.

Frank Goodwin, Manager des Masken-Abdeckungs-Defekt-Reduzierungsprogramms an SEMATECH, erklärte, dass Veecos erstklassige IBD-Technologie der Hauptmedium war, der die kritische Filmabsetzung aktivierten, die durch sehr niedrige Defektstufen gekennzeichnet wurde und der mit den 22 nm-Prozessdefektanforderungen für EUV-Maskenabdeckungen übereinstimmt.

Quelle: http://www.veeco.com/

Last Update: 15. September 2012 08:34

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