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Posted in | Nanoelectronics

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No Semicondutor, o imec Colabora Para Desenvolver Dispositivos de Potência do GaN-em-Si

Published on October 6, 2012 at 2:45 AM

No Semicondutor, um primeiro fornecedor global de soluções do silicone do elevado desempenho para a eletrônica eficiente da energia, juntou-se ao programa com vários sócios, industrial da investigação e desenvolvimento no imec, um centro de pesquisa principal do nanoelectronics, para colaborar na revelação do Nitreto do Gálio da próxima geração (GaN) em dispositivos (Si) de potência do Silicone.

GaN é caracterizado pela mobilidade de elétron superior, por uma mais alta tensão da divisão e por boas propriedades da condutibilidade térmica, fazendo lhe o ideal para os dispositivos da potência e (RF) da radiofrequência que precisam eficiências do alto-interruptor. Hoje, os dispositivos de potência GaN-baseados são demasiado caros para a fabricação de grande volume, porque são fabricados em bolachas de pequeno diâmetro usando processos de produção não padronizados.

O programa de investigação da largo-escala de Imec é centrado sobre a tecnologia tornando-se do GaN-em-Si em bolachas de 200 milímetros, assim como reduzindo o custo e melhorando o desempenho de dispositivos de GaN. Reunindo fabricantes integrados de condução do dispositivo (IDMs), as fundições, as empresas do semicondutor composto, os fornecedores do equipamento e os fornecedores da carcaça, imec foram bem sucedidos em conseguir avanços técnicos significativos.

no ano passado, o programa de investigação dos imec produziu com sucesso as bolachas do GaN-em-Si de 200 milímetros, trazendo processando dentro do alcance para a alto-produtividade padrão fabs de 200 milímetros. Além Disso, o imec desenvolveu um processo da fabricação compatível com processos padrão do CMOS e ferramentas, a segunda condição prévia para o processamento eficaz na redução de custos.

“Como 20 superiores um fornecedor global do semicondutor com uma carteira centrada sobre dispositivos eficientes da energia, No Semicondutor tem pesquisado tecnologias do silicone de GaN por diversos anos e está construindo presentemente uma linha de processamento de GaN em sua facilidade de Oudenaarde em Bélgica,” disse a Cegonha de Hans, o vice-presidente superior e o oficial da tecnologia do chefe (CTO) No Semicondutor. “Partnering com imec ajudará a reforçar nossa posição actual do mercado e a ajudar-nos potencial em adicionar uma tecnologia competitiva da vanguarda a nossas ofertas do cliente. Nós olhamos para a frente à colaboração com um consórcio largo de empresas da mesma opinião na pesquisa progressista neste campo.”

De acordo com Rudi Cartuyvels, vice-presidente de sistemas e da tecnologia energética espertos no imec: “As revelações Extraordinárias continuam a emergir de nosso Programa da Afiliação do GaN-em-Si, criando umas estradas mais adicionais para conduzir abaixo dos custos de gastos de fabricação. A adição a mais nova, Em Semicondutor como um sócio estratégico do programa, promove avanços nossa experiência colectiva. Os esforços conjuntos do Leveraging ajudar-nos-ão a superar o obstáculo seguinte para a fabricação econômica do volume, trazendo finalmente dispositivos de potência de GaN ao mercado.”

Source: http://www.onsemi.com/

Last Update: 6. October 2012 08:39

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