Potencial del Asimiento de Nanoflowers para las Células Solares de la Siguiente-Generación y los Dispositivos de Almacenamiento de la Energía

Published on October 12, 2012 at 9:06 AM

Los Investigadores de la Universidad de Estado de Carolina del Norte han creado flor-como las estructuras fuera del sulfuro del germanio (GeS) - un material del semiconductor - que tienen pétalos extremadamente finos con una superficie enorme. La promesa de los asimientos de la flor de GeS para los dispositivos de almacenamiento de la energía de la siguiente-generación y las células solares.

El GeS “nanoflowers” tiene pétalos solamente 20-30 nanómetros densamente, y proporciona a una superficie grande en una pequeña cantidad de espacio.

“Crear estos nanoflowers de GeS es emocionante porque nos da una superficie enorme en una pequeña cantidad de espacio,” dice al Dr. Linyou Cao, profesor adjunto de la ciencia material y de la ingeniería en el Estado del NC y el co-autor de un documento sobre la investigación. “Esto podría aumentar importante la capacidad de baterías de ión de litio, por ejemplo, puesto que la estructura más fina con una superficie más grande puede sujetar más iones de litio. De la misma manera, esta estructura de la flor de GeS podría llevar a la capacidad creciente para los supercapacitors, que también se utilizan para el almacenamiento de energía.”

Para crear las estructuras de la flor, primer polvo de GeS del calor de los investigadores en un horno hasta que comience a vaporizarse. El vapor entonces está soplado en una región más fresca del horno, donde el GeS decide del aire en una hoja acodada que sea solamente 20 a 30 nanómetros densamente, y de hasta 100 micrómetros largos. Mientras Que se agregan las capas adicionales, las hojas se ramifican fuera a partir de la otra, creando un estampado de flores similar a una maravilla o a un clavel.

“Para conseguir esta estructura, es muy importante controlar el flujo del vapor de GeS,” el Cao dice, “de modo que tenga tiempo para extenderse fuera en capas, bastante que agregando en los grupos.”

GeS es similar a los materiales tales como grafito, que establecen en capas aseadas u hojas. Sin Embargo, GeS es muy diferente del grafito en que su estructura atómica hace muy bueno en la absorción de energía solar y convertirla en potencia usable. Esto hace atractivo para el uso en células solares, determinado puesto que GeS es relativamente barato y no tóxico. Muchos de los materiales usados actualmente en células solares son costosos y extremadamente tóxicos.

El papel, “Papel de la Difusión de la Capa de Límite en el Incremento de la Deposición de Vapor de Chalcogenide Nanosheets: El Caso de GeS,” se publica en línea en el gorrón ACS Nano. El papel co-fue sido autor por el Cao; El Dr. Chun Li, investigador postdoctoral anterior en el Estado del NC, ahora un profesor en la Universidad de la Ciencia y de la Tecnología Electrónicas de China; Liang Huang, estudiante anterior del Ph.D. que visita en el Estado del NC; Gayatri Pongur Snigdha, estudiante universitario anterior en el Estado del NC; y Yifei Yu, estudiante del Ph.D. en el Estado del NC. El trabajo fue utilizado por la Oficina de la Investigación del Ejército Americano.

Fuente: http://www.ncsu.edu

Last Update: 12. October 2012 09:20

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