La Tecnología Primero-de-su-Buena X-FAB de la Fundición de SOI Ofrece Capacidad del MOS 200V en 180 nanómetro

Published on November 9, 2012 at 6:53 AM

Las Fundiciones de Silicio de X-FAB anunciaron hoy su XT018, la tecnología aislada de la fundición del foso dieléctrico SOI del mundo primer que ofrecía para la capacidad del MOS 200V en 180nm. Usando el aislamiento dieléctrico completo de este proceso modular permite que los bloques en diversos niveles voltaicos sean integrados en una única viruta en vez de colocado en diversas virutas. Reduce importante el número de componentes adicionales requeridos en placas de circuito impresas, elimina el cerrojo-hacia arriba y proporciona a robustez incorporada contra interferencia electromágnetica.

La tecnología de XT018 SOI es el único proceso disponible de la fundición en 180nm para las aplicaciones que requieren el 100V al rango del voltaje 200V. Es ideal para el consumidor, la infraestructura médica, de telecomunicación y las aplicaciones industriales que necesitan el aislamiento bidireccional, tal como aplicaciones del PoE, programas pilotos del transmisor del ultrasonido, actuadores piezoeléctricos y micromecánica capacitivo-impulsada.

La nueva tecnología combina los transistores completo aislados del MOS para el desagüe de alto voltaje con una tecnología 180nm para la ENTRADA-SALIDA 1.8V/5.0V y hasta 6 capas del metal. Su configuración de proceso única, utilizando una configuración de la estupendo-unión con el fin dieléctrico patentado del ALTO VOLTAJE para los transistores del MOS, permite diseño compacto con un Ron de hasta sólo 0,3 ² de Ùmm para 100V y el ² de 1.1Ùm m para los transistores de 200V nMOS. Los transistores del MOS del ALTO VOLTAJE se diseñan para tener parámetros eléctricos idénticos para la operación inferior y de la alto-cara.

La aproximación modular del proceso XT018 incluye un módulo 5V-only para las aplicaciones analogico-enfocadas, y los módulos de HVnmos y de Hvpmos que se pueden seleccionar por separado. La tecnología se caracteriza completo para una gama de temperaturas de -40°C a 175°C.

Además de los transistores del ALTO VOLTAJE, el nuevo ofrecimiento de la tecnología XT018 proporciona a una opción gruesa del metal para utilizar el encaminamiento de gran intensidad, MOS aislado 10V, los diodos de unión básicos y los transistores bipolares, los resistores polivinílicos medianos y alto-óhmicos, y un MIM de gran capacidad área-eficiente (² de 2,2 a 6,6 fF/µm), así como un condensador de alto voltaje. La tecnología de la estupendo-unión permite el rectificar de los diodos con tiempo de recuperación reversa 20ns, activando los rectificadores y el conjunto de circuitos de la carga inicial que se integrarán eficientemente en la viruta bastante que fuera de chip.

Sebastian Schmidt, gerente de marketing de producto para la línea de productos De alto voltaje X-FAB, dijo, “Nuestra tecnología XT018 proporciona el soporte de alto voltaje dielectrically aislado excepcional. Tal aislamiento hace más fácil diseñar para los ciclos cortos de la innovación, es directo, y da lugar a un rato al mercado más rápido.”

El XT018 PDK está disponible ahora, así que los proyectistas pueden comenzar a diseñar inmediatamente.

X-FAB proyecta recibir un webinar libre en el nuevo proceso XT018 a finales de este año.

Fuente: http://www.xfab.com

Last Update: 9. November 2012 07:32

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