Samsung Electronics Entwickelte und Validierte Erstes Klasse 40-Nanometer D-RAM Chip und Block

Published on February 3, 2009 at 10:24 PM

Samsung Electronics Co., Ltd., der Weltmarktführer im hoch entwickelten Zweikanalmagnetbandelement, heute angekündigt, dass es das erste eine 40-nm-Klasse D-RAM-Chip und (nm) -block entwickelt und validiert hat. Dieses neue 1-Gigabit DDR2 Bauteil (x8) und ein entsprechendes 1-Gigabyte 800Mbps (Megabits pro Sekunde) DDR2 SODIMM (Inline-Speicherblock kleinen Entwurf D-RAM) - bei 40 nm aufbereitet zu werden beide, - sind im Intel-Plattform-Bestätigungsprogramm für Gebrauch mit den Beweglichen ausdrücklichchipsets Serie Intel® GM45 bestätigt worden.

„Das Befestigen der extrem neuen Technologie und der Anlage/der Plattform validierten Funktionsfähigkeit unterstreicht unsere Verpflichtung als Technologieführer zum Ausfahren der effizientsten Mittelwerte des Produzierens des D-RAM im Markt,“ sagte Kevin Lee, Vizepräsident, technisches Marketing, Samsung Semiconductor, Inc.

Die Systemumstellung 40 nm zur Verfahrenstechnik der Klasse wird erwartet, um die Zeit-zumarkt Schleife durch 50 Prozent - zu gerade einem Jahr zu beschleunigen. Samsungs-Pläne, zum seiner 40 nm anzuwenden Klassentechnologie, um eine Einheit 2Gb DDR3 für Großserienfertigung bis Ende 2009 auch zu entwickeln.

Die Verfahrenstechnik der neuen 40 nm Klasse treibt weiteres Abspannen gegen eine 50 nm Klasseneinheit, die Samsung erwartet, in Einsparungen einer ungefähr 30-Prozent-Leistung zu übertragen

Der feinere D-RAM-Technologieknotenpunkt entbindet auch ein ungefähr 60 Prozent Zunahme der Produktivität über 50 nm Verfahrenstechnik der Klasse.

Darüber hinaus erwartet Samsung, dass sein 40 nm Prozessknotenpunkt einen beträchtlichen Schritt in Richtung zur Entwicklung der nächster Generation markiert, Ultrahochleistung D-RAM-Technologien wie DDR4.

Last Update: 14. January 2012 12:30

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