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应用材料公司和迪斯科发展TSV的制作过程中的3 - D半导体晶圆减薄

Published on March 30, 2009 at 7:44 AM

应用材料公司和迪斯科公司今天宣布,共同发展,在三维(3 - D)半导体制造穿透硅通孔(TSV)晶圆减薄工艺。这两家公司将合作开发集成,高性能的流程,旨在降低成本,降低风险,并加快为客户的下一代芯片的上市时间。

穿透硅通道技术是一种新的方法,使高密度,低功率器件,在更小的体积,由垂直堆叠芯片。为了使这3 - D堆叠,必须降低每个芯片或晶圆层厚度达90%和保税到一个临时的载体,以保持在半导体加工的热和机械应力的结构完整性。

迪思科的精密磨削设备结合应用的蚀刻,介电沉积,物理气相沉积和化学机械研磨系统,两家公司预计开发晶圆减薄和减薄后保税硅和玻璃载体晶圆的过程。发展值得制造设备和工艺解决方案的一些关键技术要求晶圆边缘的结构和完整性,处理,尺寸控制,颗粒控制,管理压力和温度曲线控制。

“联盟应用的过程集成方面的专长和领先的晶圆减薄系统的规划使用TSV技术的芯片制造商的好消息,”出岛,信量迪思科HI - TEC美国公司的总裁说“的能力来验证完整的流程,使用薄在我们的圣克拉拉市的研究实验室和应用材料公司的Maydan技术中心的晶圆为我们提供了一个独特的机会,利用多个TSV的一体化计划的薄晶圆的优势。“

组应用的硅系统集团副总裁兼首席技术官,鹳,“汉斯说:”我们很高兴能与迪思科推进这一激动人心的和颠覆性的技术。 “我们的战略合作,迪斯科舞厅和其他领先的设备供应商是一个创新的方式做业务,可以提供强大的解决方案,以减轻我们的客户的风险和降低设备制造超薄基板上的整体成本。”

Last Update: 7. October 2011 13:37

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