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Diamant sp3, der Ordnungen für 2 Zoll und 4 Inch Silikon auf Diamant-Wafers Nimmt

Published on April 14, 2009 at 8:26 AM

sp3 Diamond Technologies, Inc., ein führender Lieferant von Diamantfilmprodukten, Gerät und Dienstleistungen, kündigte heute an, dass es Ordnungen für 2 Zoll und 4-Inch-Silikon auf Diamantwafers (SOD) für Gebrauch als Substratflächen des Gallium-Nitrids (GaN) und beschleunigende Entwicklung von 6-Zoll- Wafers für Gebrauch wie seitlich zerstreute Metalloxidhalbleitersubstratflächen (LDMOS) nimmt. sp3's-RASENwafers entbinden höhere Wärmeleitfähigkeit an Alternativen eines preiswerter als vorhandenen Silikonkarbids (Sic) für GaN und für Einheiten der höheren Leistung LDMOS wegen der verbesserten Wärmeleitfähigkeit über traditionellen Siliziumscheiben.

sp3's-RASENwafers entbinden einen Hochleistungspfad für die Einheiten, die für WiMax-Basisstationen und andere Handels- und Militärbreitband- und Leistungsschaltungsanwendungen bestimmt sind. Dieses würde Radarnachrichtenübermittlungsgerät, Wetter- und Nachrichtensatellitgerät und Hybridleistungsschaltelemente enthalten. sp3 neues Angebot sucht, die aktuellen Leistungsbeschränkungen dieser Einheiten zu adressieren, während sie in zunehmendem Maße Sic ausgewirkt durch die thermischen Beschränkungen von Siliziumscheiben oder von extremen Kosten und von den Wafers leistungsschwächerer werden.

„Starke, Hochfrequenzeinheiten - wie Radar der hohen Leistung und HF-Verstärker und GLEICHSTROM zu GLEICHSTROM und zu WS zu GLEICHSTROM-Umformern - haben die Leistungsbeschränkungen wegen der körperlichen Zelle von Standardsilikonsubstratflächen,“ sagte Dwain Aidala, Präsident und COO von Technologien des Diamant-sp3. „Militär- und industrielle Anwendungen stehen, um von Gebäudeeinheiten auf einer Diamantsubstratfläche mit einer Einheitsqualität, dünne Silikonoberschicht beträchtlich zu profitieren. Einheiten GaN oder LDMOS, die auf solch einer strukturierter Substratfläche aufgebaut werden, können zu den beträchtlich höheren Leistungspegeln als die aktuellen Alternativen getrieben werden, dadurch sie maximieren sie Leistung. sp3's-RASENwafers entbinden Industrie-führende Leistung, sind ersteigbare bis 300 mm und sind erhältlich an preiswerter als alternative Diamant-basierte Lösungen oder traditionelle Sic Substratflächen.“

Die RASENwafers werden als strukturierte Substratflächen mit einer Oberschicht Einheitqualität Gleitbetriebzone Silikon entbunden. Sie liefern die Diamantwärme, die direkt unter der Kreuzung ausbreitet und können mehr als eine 100-Prozent-Zunahme der Leistungspegel, die mit Silikonsubstratflächen allein verglichen werden, und eine Zunahme der Prozent erzielen 50-80, wenn sie mit Sic, bei einer örtlich festgelegten Grenzschichttemperatur verglichen werden. An örtlich festgelegter Leistung können sie Grenzschichttemperatur um mehr als 50 Grad verringern, die mit GaN auf Silikon oder Sic verglichen werden. GaN-Wachstum auf RASEN erbringt epi Filme, die mit GaN auf Silikon gleichwertig sind, und sp3 kann Wafergröße bis 300 mm einstufen.

2 Zoll und 4 Inch RASENwafers mit einer Silikonoberschicht sind für GaN-Einheiten sowie mit einer Epitaxial- Schicht GaN (GaN auf RASENwafers) für jene Hersteller ohne eine Epitaxial- Absetzungsfähigkeit in-house zur Zeit verfügbar. Vorbereitungszeit und Preiskalkulation sind vom Volumen abhängig; interessierte Abnehmer sollten sales@sp3inc.com zu mehr Information in Kontakt bringen.

Last Update: 14. January 2012 08:06

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