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Posted in | Nanoelectronics

晶体管噪声设计改进预测准确性,支持持续的设备称

Published on October 26, 2009 at 9:44 PM

SEMATECH 的期初进程程序的 (FEP)研究员开发了全面晶体管噪声设计能够提取缺陷特性从在先进的门栈晶体管的低频率噪声数据使用常规和新颖的电介质。 这个提出的设计是往支持识别的和使减到最小的缺陷的一个关键步骤积极设备称。 10月 22日,在星期四 SEMATECH 的结果在 (IRW) IEEE 集成的可靠性讨论会存在了,在 Tahoe 湖, CA。

低频率噪声 - 在设备当前的任意波动 - 是在集成 CMOS 电路性能的生长关心,特别地当这个行业继续不懈设备称和新的材料介绍。 “噪声的”根是跳进从这个基体的电子在电介质的一个缺陷和。 低频率噪声的常规设计,是可接受的至最近技术节点,现在不很好运作,如今年初指出由 NIST 研究员 (ref=IEEE 光谱第46卷 8月 2009,第16页) - 承运人的模型预测费率减少 1000x 或更多的获取。 要论及此问题, SEMATECH 的 FEP 研究员在缺陷附近雇用 ‘格子放松的’概念; 当这个缺陷捕捉充电 (电子) 时,他们 “在这个缺陷附近放松’的相邻的中坚力量 “感觉”其库仑潜在并且轻微转移他们的位置适应此另外的强制 &ndash 即。 此放松要求有限的相当数量能源,共计减速获取的费率的障碍。

使用噪声描述特性是特别的好处给可靠性社区,它成为在半导体材料和设备的发展的一个重要的诊断技术。 “优选噪声性能以多种应用,我们需要能准确地模拟进程负责对噪声”,项目经理说 Gennadi Bersuker,电子描述特性和可靠性在 SEMATECH。 “与这个提出的设计,可靠性社区现在有识别缺陷的原子结构方法,允许反馈处理和综合化组实现缺陷的减少和清除”。

迈克尔 Shur,帕特里夏 W. 和 C. Sheldon 固体电子教授在 Rensselaer 工学院的,说陷井的结构上的放松结构在 SEMATECH 组发现的 MOSFETs 的是这个关键字对了解和使减到最小的噪声,并且,因此,是称的先进的设备结构极其重要。 “SEMATECH 工作解释几个数量级更老之间区别,所谓,挖洞设计和在与超薄的氧化物层的先进的 CMOS 评定的噪声”, Shur 教授说。

与成员公司,大学、国家实验室和供应商合作伙伴合作, SEMATECH 的 FEP 程序核心技术小组一贯地开发扩大高的 k 电介质、金属门、高流动性通道和先进的存储技术的创新技术。

关于 SEMATECH :

20 年, SEMATECH® (www.sematech.org) 设置了全球方向,被启用的灵活的协作,并且跨接了有战略意义的 R&D 对制造。 今天,我们持续加速与我们的 nanoelectronics 和新兴技术合作伙伴的下技术革命。

Last Update: 13. January 2012 09:41

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