Site Sponsors
  • Oxford Instruments Nanoanalysis - X-Max Large Area Analytical EDS SDD
  • Strem Chemicals - Nanomaterials for R&D
  • Park Systems - Manufacturer of a complete range of AFM solutions
Posted in | Nanoelectronics

晶體管噪聲設計改進預測準確性,支持持續的設備稱

Published on October 26, 2009 at 9:44 PM

SEMATECH 的期初進程程序的 (FEP)研究員開發了全面晶體管噪聲設計能够提取缺陷特性從在先進的門棧晶體管的低頻率噪聲數據使用常規和新穎的電介質。 這個提出的設計是往支持識別的和使減到最小的缺陷的一個關鍵步驟積極設備稱。 10月 22日,在星期四 SEMATECH 的結果在 (IRW) IEEE 集成的可靠性討論會存在了,在 Tahoe 湖, CA。

低頻率噪聲 - 在設備當前的任意波動 - 是在集成 CMOS 電路性能的生長關心,特別地當這個行業繼續不懈設備稱和新的材料介紹。 「噪聲的」根是跳進從這個基體的電子在電介質的一個缺陷和。 低頻率噪聲的常規設計,是可接受的至最近技術節點,現在不很好運作,如今年初指出由 NIST 研究員 (ref=IEEE 光譜第46捲 8月 2009,第16頁) - 承運人的模型預測費率減少 1000x 或更多的獲取。 要論及此問題, SEMATECH 的 FEP 研究員在缺陷附近雇用 『格子放鬆的』概念; 當這個缺陷捕捉充電 (電子) 時,他們 「在這個缺陷附近放鬆』的相鄰的中堅力量 「感覺」其庫侖潛在并且輕微轉移他們的位置適應此另外的強制 &ndash 即。 此放鬆要求有限的相當數量能源,共計減速獲取的費率的障礙。

使用噪聲描述特性是特別的好處给可靠性社區,它成為在半導體材料和設備的發展的一個重要的診斷技術。 「優選噪聲性能以多種應用,我們需要能準確地模擬進程負責對噪聲」,項目經理說 Gennadi Bersuker,電子描述特性和可靠性在 SEMATECH。 「與這個提出的設計,可靠性社區現在有識別缺陷的原子結構方法,允許反饋處理和綜合化組實現缺陷的減少和清除」。

邁克爾 Shur,帕特里夏 W. 和 C. Sheldon 固體電子教授在 Rensselaer 工學院的,說陷井的結構上的放鬆結構在 SEMATECH 組發現的 MOSFETs 的是這個關鍵字對瞭解和使減到最小的噪聲,并且,因此,是稱的先進的設備結構極其重要。 「SEMATECH 工作解釋幾個數量級更老之間區別,所謂,挖洞設計和在與超薄的氧化物層的先進的 CMOS 評定的噪聲」, Shur 教授說。

與成員公司,大學、國家實驗室和供應商合作夥伴合作, SEMATECH 的 FEP 程序核心技術小組一貫地開發擴大高的 k 電介質、金屬門、高流動性通道和先進的存儲技術的創新技術。

關於 SEMATECH :

20 年, SEMATECH® (www.sematech.org) 設置了全球方向,被啟用的靈活的協作,并且跨接了有戰略意義的 R&D 對製造。 今天,我們持續加速與我們的 nanoelectronics 和新興技術合作夥伴的下技術革命。

Last Update: 25. January 2012 06:15

Tell Us What You Think

Do you have a review, update or anything you would like to add to this news story?

Leave your feedback
Submit