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Posted in | Nanoelectronics

나오기 기억 장치 기술, 에너지 효과 장치 및 높은 기동성 채널 트랜지스터에 있는 중요한 어드밴스

Published on December 8, 2009 at 6:29 PM

반도체 R+D 지역 사회에서 고위 과학 기술자, 실무자 및 능력은 "고체 장치에 있는 나오기 기술"에 SEMATECH 지도한 작업장에 나오기 기억 장치 기술, 에너지 효과 장치 및 높은 기동성 채널 통신로 트랜지스터에 있는 중요한 어드밴스 제시 기술적인 데이터를 제출했습니다.

과 Aixtron AG 공동 후원된 5 연례 SEMATECH 작업장은 제한되고 충족시키는 IEEE 국제적인 전자 장치 함께 보전된 토오쿄 전자에 의해 (IEDM), 40의 프리젠테이션 이상의 무료한 세트를 특색짓고 기술 적이고 및 제조에 최첨단 해결책에 대한 공개 토론은 나오는 nanoelectronics 기술에 관련되는 도전합니다. 작업장 참가자는 뒤에 오는 지역에 있는 중요한 발달 그리고 도전을 설명했습니다:

나오는 기억 장치 기술

  • 다수 나오는 기술은 3D 낸드와 같은 실행에 단계 변경 기억 장치 (유모차), magnetoresistive 기억 장치 (MRAM), 회전급강하 토크 이동 기억 장치 (STT-RAM), 및 저항하는 기억 장치 (RRAM), 지금 있고, 전진은 다음을 포함합니다:
    • 접근을 사용하여 저항하는 기억 장치에 있는 새로운 이해는, 저항하는 물자에 있는 수행 필라멘트의 대형 또는 이온 수송에 기지를 두었습니다.
    • 통합 무선 장치 응용을 위한 끼워넣어진 STT-RAM.
    • 3D의 통합은 기술 기억 장치 조밀도를 증가시키기 위하여 상호 연락하고 기억 장치.
    • 비발한 트랜지스터 드램과 같은 전통적인 드램에 책임 함정 플래시 메모리 그리고 대안을 위한 띠 간격 기술설계의 사용.
  • 기업은 RRAM 기술을 위한 후보자로 적어도 34의 물자를 확인했습니다. 제조 관점에서, SEMATECH는 아래로 선정, 에 초점을 fabs로 이미 받아들여진 다스개의 "녹색 물자"에 가능했던 것과 같이 격려했습니다.
  • 게스트 토론자는 그것을 나오는 기억 장치 기술입니다 나오는 기억 장치가 애플리케이션 중심 일 것이라는 점을 결론지는 현재 기억 장치와 관련되었던 스케일링 문제를 대체하는 유망한 해결책 인정했습니다 - 힘, 조밀도, 속도 및 비용의 순열 여러가지 -, 그리고 보편적인 기억 장치 해결책이 없다는 것을.

높은 기동성 채널 트랜지스터

  • III-V와 게르마늄과 같은 비 실리콘 물자를 사용하여 트랜지스터는 (Ge) 기동성 개선 주입 각측정속도 및 지친 실리콘에 비교하여 전압 스케일링에 있는 중요한 약속을 보여주고 있습니다.
  • InGaAs 시스템에 근거를 둔 III-V 물자는 Ge 또는 III-V (아마 지친 안티몬화물 기지를 둔 시스템)는 P 채널 통신로를 위해 적합한지도 모르는 그러나, N 채널 통신로를 위한 선호한 선택권인 것을 보입니다.
  • 몇몇 중요한 도전이 남아 있는 동안 - 낮은 결점 조밀도를 가진 문 더미, 채널 통신로, 및 적당한 접속점과 접촉 기술을 포함하여 - 토론회원에 의하여 이들이 showstoppers가 아니 이하 15nm 마디를 위한 비발한 아키텍쳐로 극복될 수 있다는 것을 동의했습니다.
  • CMOS 저쪽에 III-V 물자를 위한 추가 용도는 RF 회로, 터널을 파 마당 효과 트랜지스터 및 nanophotonic 장치를 포함하여, 토론되었습니다.

에너지 효과 장치

  • 프리젠테이션은 graphene 기지를 둔 nanomaterials에서, 장치를 가을걷이하는 에너지 구역 수색하는 혼합에 새로운 접근을 특색짓고, Moore 개념 보다는 더 많은 것으로 전통 및 저전력 전자공학 이동할 수 있는 응용을 위한 NEMS와 NEMory (nano 전기판 기계적인 비휘발성 기억 장치) 장치 그리고 MEMS 전시에 센서를, 각자 강화했습니다.

SEMATECH의 물자와 나오는 기술 기술적인 팀은 일관되게 개발하고 기존 기술을 확장하고 나오는 기술의 채용을 가속하기 위하여 혁신하고 있습니다. SEMATECH는 III-V 물자의 토픽에 작업장을 지난 몇년 간 접대했습니다. 목적은 아이디어를 전문가와 교환하고 다른 기관 및 연구원 중 협력을 강화하기 위한 것입니다.

Last Update: 13. January 2012 13:27

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