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Posted in | Nanoelectronics

在新兴的存储技术,高效节能设备和高移动通道晶体管的重大进展

Published on December 8, 2009 at 6:29 PM

高级技术人员,管理人员,教师和来自全国各地的半导体R + ð社会提出的技术数据,揭示在新兴的存储技术,高效节能设备,并在一个较高的流动性沟道晶体管的显著进步SEMATECH联盟为首的“固态器件的新兴技术“的车间。

第五届SEMATECH联盟研讨会,东京电子有限公司和AIXTRON AG公司共同主办,并在IEEE国际电子器件会议(IEDM)同时举行,有特色的一个超过40尖端解决方案的演示和小组讨论的互补技术与新兴纳米电子技术和制造方面的挑战。研讨会的与会者概述了重要的事态发展和挑战,在以下几个方面:

新兴的存储技术

  • 一些新兴技术,如3D NAND和相变存储器(PRAM),磁阻存储器(MRAM),自旋转移存储器(STT - RAM的),和电阻式记忆体(RRAM),目前正在发挥,进步包括:
    • 一个电阻式记忆体的新的认识,使用的基础上进行电阻材料或离子转运细丝形成的方法。
    • STT - RAM的嵌入式集成的无线设备应用。
    • 三维集成互连和记忆体技术,以提高记忆体密度。
    • 收费陷阱的快闪记忆体和取代传统的DRAM,如新的单晶体管的DRAM使用的带隙工程。
  • 这个行业已经确定了至少34 RRAM技术候选人材料。从制造业的角度来看,SEMATECH联盟鼓励选择,可行的焦点,打“绿色材料”,已经到工厂接受。
  • 访客小组成员承认,新兴的存储技术是有前途的解决方案,以取代当前回忆相关的结垢问题,得出的结论,新兴的回忆将应用程序的驱动 - 与权力的不同排列,密度,速度和成本 - 和有没有通用的内存解决方案。

高迁移率通道晶体管

  • 相比,应变硅晶体管的非硅材料使用III - V族和锗(Ge),如在流动性的改善,注射速度和电压缩放比例显著承诺。
  • III - V材料基础上的InGaAs系统似乎是N通道的首选方案,而GE或III - V族(也许是紧张锑为基础的系统)可能是适当的P通道的。
  • 虽然几个关键的挑战依然存在 - 包括栅堆叠,低缺陷密度的渠道,以及合适的交界处和接触技术 - 小组成员一致认为,这些都不是搅局者,并可能与15nm的子节点新颖的结构克服。
  • 超越CMOS III - V材料的额外的使用进行了讨论,包括射频电路,隧道场效应晶体管,纳米光子器件。

高效节能设备

  • 艺术特色融合超越摩尔定律的概念更多的常规和低功耗电子产品,石墨为基础的纳米材料,能源收集装置,和自供电的传感器,NEM和NEMory(纳米机电非易失性内存)的新方法设备和移动应用的MEMS显示器。

SEMATECH的材料技术和新兴技术的技术团队不断创新,发展和扩大现有的技术,并加快采用新兴技术。 SEMATECH联盟主办工作坊,过去几年的III - V材料主题。我们的目标是,与专家交流思想,并加强不同机构和研究人员之间的协作。

Last Update: 5. October 2011 17:14

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