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SEMATECH auf Extreme Ultraviolet Lithography bei SPIE Advanced Lithography 2010 zeigen

Published on February 18, 2010 at 4:16 AM

Kritische Punkte und mögliche Lösungen bei der Vorbereitung extremen Ultraviolett-Lithographie (EUV) für High-Volume-Produktion wird von SEMATECH Technologen an der SPIE Advanced Lithography erforscht BE 2010 Konferenzen 21-25 Februar in San Jose, CA.

Die SEMATECH Lithographie-Programm ist an der Hochschule für Nanoscale Science and Engineering (CNSE) Albany NanoTech Complex basiert.

"SEMATECH hatte ein außergewöhnliches Jahr in der Lithographie, und wir planen, unsere Erfolge bei SPIE zu demonstrieren", sagte Bryan Rice, Lithography Director. "Wir werden zeigen, wie wir konsequent führend in der Branche bei, dass die EUV-Maske und widerstehen / Materialien Infrastruktur sowie EUVL Herstellbarkeit und Erschwinglichkeit."

Ein führender Thema wird EUVL Maske Infrastruktur, ein Bereich, in dem SEMATECH eine neue Industrie-Konsortium vorgeschlagen hat. Advances in EUV widerstehen Entwicklung - einschließlich SEMATECH Erfolg mit seinen 0,3 numerischen Apertur (NA) microexposure Werkzeuge (MET) bei CNSE und der University of California at Berkeley - wird auch zu sehen sein. Andere SEMATECH Papiere deckt Partikelentfernung und Inspektion für die EUV-Masken und Messtechnik für optische Mängel Inspektion und doppelten Musterung.

SEMATECH und ISMI Präsentationen auf SPIE sind, nach Betreff, Datum und Uhrzeit:

EUVL Maske Infrastructure

Mittwoch 24 Februar

  • 08.40 Uhr: E-Beam-Korrektur-Methode zur Kompensation der Maske nonflatness in EUVL Pilotlinie
  • 04.50 Uhr: Eine Inspektion und Defekt überprüfen Strategie für die EUV-Pilotlinie und High-Volume-Produktion

Widerstehen

Montag, 22 Februar

  • 02.50 Uhr: Charakterisierung von vielversprechenden widerstehen Plattformen für Sub-30-nm HP Herstellbarkeit und EUV-CAR Erweiterbarkeit Studie
  • 17.40 Uhr Thin EUV widerstehen und Unterschicht-Stacks: Korrelation von Tg, Oberflächenpolarität, Dichte und Bildqualität

Dienstag, 23 Februar

  • 08.40 Uhr: Entwicklung eines auf anorganischer Basis Fotolack für DUV, EUV und E-Beam-Bildgebung

Donnerstag, 25 Februar

  • 10:30 Uhr: Die SEMATECH Berkeley MET drängen EUV Entwicklung über 22 nm Half-Pitch

Partikelentfernung und Mask Inspection

Dienstag, 23 Februar

  • 14.00 Uhr: Eine Studie von Defekten auf EUV-Maske mit leeren Inspektion, strukturierte Maske Inspektion und Wafer-Inspektion
  • 03.00 Uhr: Partikelentfernung Herausforderungen des EUV gemusterten Masken für die Sub-22-nm-Knoten HP

Mittwoch 24 Februar

  • 18.00 Uhr: Particle Schutz Fähigkeit SEMI konform EUV Dual pod

Metrology,-prüfung und Prozesssteuerung

Dienstag, 23 Februar

  • 08.40 Uhr: Die Grenzen und die Erweiterbarkeit von optischen gemusterten Defektkontrolle
  • 11.10 Uhr: LER / LWR Detektion mittels Dunkelfeld-spektroskopischen Methoden
  • 18.00 Uhr: CD-SEM-Dienstprogramm mit doppelten Musterung (Poster-Session)
  • 18.00 Uhr: Rekonstruieren FinFET Querschnitt mit CD-SAXS (Poster-Session)

Donnerstag, 25 Februar

  • 08.30 Uhr: Electron-Beam-induzierte Fotolack Schrumpfung Einfluss auf 2D-Profilen
  • 02.10 Uhr: Referenzmaterial (RM) 8820: eine vielseitige neue NIST-Standard für Nanometrologie

Andere Themen

Mittwoch 24 Februar

  • 18.00 Uhr: Modeling Verkokung von Extrem-Ultraviolett-Optik
  • 18.00 Uhr: Charakterisierung der Kontamination auf der Beleuchtungsoptik der SEMATECH extreme Ultraviolett Mikro-Feldexposition Werkzeug

Quelle: http://www.sematech.org/

Last Update: 6. October 2011 13:12

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