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技術文件估計使用的新的 III-V 材料先進技術

Published on April 2, 2010 at 7:19 PM

面對財務約束和嚴重的技術挑戰,半導體行業必須實踐創造性的協作生存,增長,并且湧現的行業的連結, SEMATECH 丹 Armbrust 總裁兼 CEO 在最近施政演說中說對 SEMATECH 的 2010 表面處理和清洗會議 (SPCC) 在奧斯汀, TX。

「我們的成功作為行業將取決於我們多麼恰當對合作 R&D 創新」, Armbrust 說。 「我們需要是在適用半導體功能的領導先鋒於新興技術」。

Armbrust 說,當整體經濟看上去改善時,籌碼行業繼續埋頭苦幹合併,上漲的 R&D 費用,鋪平收入增長和越來越困難技術目標。 給出這些情況,協作變得越來越接受作為必要,并且有效經營戰略,他注意。

「協作是路徑對生存,并且在一個更改的行業的增長」, Armbrust 告訴了大約 150 個會議參與者。 「挑戰是在工業部門間的全球和剪切。 解決方法要求重大的投資和槓桿作用的資助。 我們需要鼓勵在創造性的合作 - 學科和兩地間的協作、行業大學政府聯盟和匯合的新的實驗與新興技術和行業」。

Armbrust 說半導體行業是一個合作開拓者,形成財團共享資源,費用和風險; 開發行業模式; 舉行為行業對話和建立共識的論壇; 并且創建標準和基礎設施主要技術轉移的。

「但是我們可以執行更好」,他通過測試新的方式宣稱,帶領大學研究進入行業主流,發展在芯片製造商和設備和材料製造商之間的新的合夥企業加速商品化和形成與湧現的行業的協作在 nanoelectronics、能源和生物工藝學方面。

「半導體是這些新的行業的基礎」, Armbrust 說。 「硅製造可以適用於 nanodevice 製造。 我們的物質知識適用於物質和薄膜發展。 并且我們的在物質物理和根本科學的行業的經驗與聰明的系統和設備發展是相關的」。

在籌碼行業內, Armbrust 說 SEMATECH 通過提供交戰幾條新的大道重新解釋協作:

  • 編程與供應商的早產品開發需要對齊 consortial R&D 的會員。 二個示例是 SEMATECH 在 Nanoscale 大學的科學和工程學院抵抗材料開發中心和屏蔽空白開發中心在阿爾巴尼。
  • 允許芯片製造商,供應商, fabless 的靈活的程序結構和集合/包裝公司與 SEMATECH 銜接共同加速商業設備和標準材料的發展。
  • SEMATECH 最近被生成的 EUV 屏蔽基礎設施財團,当最初成員承諾給識別和關閉在 EUV 的基礎建設的問題屏蔽計量學
  • 在工業部門間的參與在開發 3D 互聯使用啟用系統生產力提高除比例縮放外并且允許新的系統在籌碼應用的異種綜合化的通過硅 vias-an 行業比賽更換者
  • 環境、安全衛生 (ESH) 主動性驅動能承受的製造和減少行業的環境腳印的通過能源和資源守恆,供應鏈對準線、環境友好的工藝過程開發和其他評定。 國際 SEMATECH 製造主動性的 ESH 技術中心被形成幫助設備製造商和供應商繼續處理這樣目的
  • 與超過尋求項目的全世界 80 所大學的協作在重要邏輯和存儲技術 - 包括這樣區像高級材料、先進的設備和之後 CMOS 材料和結構。 每所大學與 SEMATECH 一起使用共同發展導致商業工具的進程。

Armbrust 的備注先於接近從行業供應商, FEP 的 30 個前進技術介紹和國際 SEMATECH 製造主動性 (ISMI)。 他們包括:

  • 在 FEP 的成功的一份被邀請的文件在使用其次泛音生成 (SHG)評估另外表面的作用清洗,并且吉米 Price,成員 (InGaAs)技術人員博士提供在銦砷化鎵的鈍化處理。 價格說這個能力準確地分析 III-V 表面和界面使用 SHGhighlights 此技術潛在,適當一個軸向計量學的系統的基於 InGaAs 的籌碼製造。 「我們現在有進程和設備工程師能取決於監控 III-V 表面和界面的質量的一個非侵入性的方法」,他注意。
  • 由邁克爾 Frisch, EHS 項目經理的一個基準點研究國際 SEMATECH 製造主動性的 (ISMI),在回收和恢復很好和集合測試汙水的機會。 Frisch 的研究在成員公司很好的站點顯示了保存的 51億加侖回收 (gpy)和開墾機會每年和 217 百萬 gpy 在集合試驗基地。 要發揮此潛在,這個研究推薦著重回收處理沖洗水和恢復批量汙水在成員 fabs。
  • 由 FEP 表面處理的項目經理 Casey 史密斯博士的一個分析和清洗新興技術的挑戰。 Graphene 看來是非硅 RF 應用的有為的通道材料,雖然汙染物一定是受控的,不用氧化的化學避免損害材料,史密斯注意。 对非平面的技術例如多門場效應晶體管 (MuGFETs),仔細修改清洗順序是需要的形成殘滓自由的 3D 門,特別是嚴密的間距格式的。
  • 理查博士小山, FEP 設備工程師,概述機會和挑戰,如果 III-V MOSFETs。 小山說, 「它變得更加富挑戰性繼續稱硅,不用在流動性和速度的犧牲。 您能仍然稱與硅,但是它來在費用」。 相反, III-V 通道提供重大的性能福利,例如更高的流動性和改進的激勵電流,將允許持續的稱和性能改善。 然而,小山通過討論依然存在的綜合化挑戰合格了他的樂觀,最大是電介質界面質量。

超過 10 年, SPCC 帶來從行業和學術界的研究員著重在先進的薄酥餅和屏蔽清潔和的挑戰表面處理。 SPCC 是的 SEMATECH 知識串聯套的一部分著重重要挑戰的加速的解決方法在 nanoelectronics 行業唯一機會。

Last Update: 25. January 2012 17:58

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