Site Sponsors
  • Oxford Instruments Nanoanalysis - X-Max Large Area Analytical EDS SDD
  • Park Systems - Manufacturer of a complete range of AFM solutions
  • Strem Chemicals - Nanomaterials for R&D
Posted in | Nanoelectronics

SEMATECH-Werkstatt Schreibt Bedarf, den Liste für LeitungsDruck in 3D Unter Verwendung TSVs sich Untereinander Verbindet

Published on April 8, 2010 at 7:48 PM

Eine neue SEMATECH-geförderte Werkstatt hat die Entwicklung eines Formungs- und Simulationsverfahrens gekennzeichnet, während ein kritischer Bedarf an der Leitung des Druckes in hoch entwickeltem 3D unter Verwendung Durchsilikon vias sich untereinander verbindet (TSVs).

Die eintägige Konferenz zeichnete mehr als 50 Technologen von 26 Firmen und von Institutionen in den US, im Asien und im Europa zu Teildienst SEMATECHS am College von Nanoscale-Wissenschaft und von Technik (CNSE) der Universität in Albanien. Der Zweck der Werkstatt war, Kennzeichnung zu entwickeln und Formungsanflüge für Management der mechanischen Belastung für Produkte 3D TSV, und Konsens und Halterung für diese Techniken über der Industrie zu treiben.

„Es gibt viele verschiedenen Anflüge zur Implementierung von 3D, und alle sie benötigen eine Analyse der mechanischen Belastungen, und diese Analyse ist möglicherweise entscheidend, wenn sie bestimmt, welcher Anflug gewählt wird, für den Anwendung. Designer Zu Aktivieren, die Analysen und die Handel offs durchzuführen ist deshalb für Annahme von Technologien 3D kritisch,“ sagte Sitaram Arkulgud, Direktor von 3D-Programm SEMATECHS.

„Es gibt viele Quellen von mechanischen Belastungen, einschließlich Kupfer gefülltes TSVs, Verringerung von Wafers zu einigen zehn Mikrons, Reihe-zureihe Masseverbindung und Chippaket Interaktionen,“ hinzugefügter Larry Smith, Workshop-Vorsitzendes. „Diese Drücke haben das Potenzial, elektrische Eigenschaften der Einheit zu ändern und beeinflussen Funktions- und parametrischen Ertrag des Produktes, und langfristige Zuverlässigkeitsprobleme auch, zu verursachen. Erfolgreiche Implementierung von 3D verbindet sich benötigt untereinander, dass diese Drücke werden richtig gekennzeichnet und gehandhabt in der Auslegung und der Herstellungsversorgungskette.“

An der Werkstatt 3D, an Teilnehmern unterteilt in zwei Durchbruchsitzungen, die Paket- und Silikongebiete umfassen und Kennzeichnung/Metrologie und/Simulationsherausforderungen formend adressieren.

Das Kennzeichnungs-/Metrologieteam berichtet:

  • Technologie 3D und toll-abhängige Materialeigenschaften werden als Eingabedaten für die Formung und Simulation benötigt
  • die Multi-Schuppe Materialkennzeichnung, die der Multischuppe formt analog ist, ist für das Aktivieren der vorbestimmten Simulation der Druckverteilung über einem Einheitslayout kritisch.
  • Die Meisten erforderlichen Kennzeichnungstechniken für Materialdaten sind zur Zeit verfügbar.
  • Besonders konstruierte Prüfungszellen, einschließlich TSVs und Bereicheffekttransistoren (FETs), sind wesentlich.

Das Formungs-/Simulationsteam empfohlen:

  • Die Kompakten Baumuster, die alle Bauteile des Lay-out-abhängigen Druckes umfassen, sollten entwickelt werden.
  • Die Paketschuppen-Simulationshilfsmittel, die auf der Formung des begrenzten Elements basieren, (FEM) werden gefordert, um Randbedingungen zu erzeugen, die verpacken-induzierten Druck an allen Gesichtern der Form beschreiben.
  • Ein integriertes Verfahren, das alle Bauteile des Druckes enthält und sie auf Eigenschaften der elektrischen Einheit in Verbindung steht, kann ausgefahren werden.

Sitzungen des frontalen Nachdrängens werden geplant, um diese und andere Empfehlungen zu entwickeln.

Mögliche Themen umfassen:

  • Hoch entwickelte Kennzeichnungstechniken
  • Darstellung von erhältlichen Simulationsflüssen
  • Lay-out von Prüfungszellen für Kalibrierung und Bestätigung

Last Update: 13. January 2012 00:49

Tell Us What You Think

Do you have a review, update or anything you would like to add to this news story?

Leave your feedback
Submit