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Posted in | Nanolithography

Globale Experten, zum von Lithographie-Entwicklung an Litho-Forum SEMATECHS Zu Behandeln

Published on May 25, 2010 at 1:35 AM

An Litho-Forum SEMATECHS gewannen 10.-12. Mai, Halbleiterführende Vertretern der Wirtschaft und Technologieexperten wertvollen Einblick auf der den Vorstellungen Industrie über und den Absichten für Lithographieentwicklung.

Das Forum, eine dreitägige regelmäßige Oberfläche von globalen Lithographieexperten, kennzeichnete eine eindrucksvolle Anordnung von erfahrenen Führungskräften und von Sachverständigen in der Halbleiterindustrie, die Perspektiven teilte auf, warum Zusammenarbeit für Halbleiterinnovation zwingend ist und welchen Herausforderungen die Entwicklung von zukünftigen Technologien bewältigen muss, um Lithographie erfolgreich zu machen.

„Der grundlegende Enabler der Industrie verbessert die Kosten pro Funktion,“ sagte Dan Armbrust, Präsident und Vorstandsvorsitzende von SEMATECH. „Damit die Industrie entwickelt, Geschäftsmodelle müssen Sie Zusammenarbeiten berücksichtigen, um Kosten zu steuern und aktuelle Technologien, beim Aufbauen der Infrastruktur für zukünftige Lösungen auszudehnen.“

„Lithographie ist das Rückgrat der Halbleiterindustrie, und es ist eine treibende Kraft für zukünftige Anwendungsgelegenheiten und Geschäftswachstum,“ sagte Bryan-Reis, Direktor der Lithographie an SEMATECH. „Die resultierenden Informationen und die Lenkung vom diesjährigen Forum sind unschätzbar, wenn sie SEMATECH-Bauteilen helfen, ausdehnen aktuelle Technologien, aufbauen Infrastruktur für das Auftauchen und ausgleichen die technischen und Kostenherausforderungen der zukünftigen Lithographie.“

Tastenhöhepunkte des Forums umfaßten das folgende:

  • Hauptredner Gary Patton von IBM konzentrierte sich auf den Bedarf an der Industriezusammenarbeit und -innovation, die Straßenkarte fortzusetzen, die zu Zusammenarbeit SEMATECHS auf EUV-Infrastruktur wie ein gutes Beispiel des Baumusters der kooperativen Innovation, um EUV geschehen zu lassen Vorwärts- und spitz ist.
  • Vorführer von IBM, von TSMC, von Tokyo Electron Limited und von GLOBALFOUNDRIES wiederholten die gegenwärtige Lage der Lithographie und der Aktivitäten, die Lithographieoptionen, einschließlich EUV-Einfügung, Maskeninspektionsherausforderungen, doppelte kopierende Verfahrensentwicklung, mehrfache Eträger Entscheidungen für 22 nm und sub-22 nm und Gesamthilfsmittelbereitschaft unterstützen.
  • Geräten- und Materiallieferanten hoben hervor, dass die Gesamtentwicklungskosten und die Gefahrenreduzierung befestigt werden müssen, indem man garantiert, dass Entwicklung an einem Schritt weiterkommt, der mit der EUV-Maske kompatibel ist und Infrastruktur widerstehen.

Zusätzlich wurden mehr als 130 Teilnehmer auf ihren Plänen und Präferenzen auf lithographischen Anflügen für zukünftige Herstellung überblickt. Schlüsselübersichtsergebnisse umfaßten das folgende:

  • Wie an den vorhergehenden Foren gekennzeichnet, 193 nm fährt das doppelte Kopieren der Immersion fort, die geeignete lithographische Technologie für das Volumen zu sein, das im Jahre 2012 herstellt.
  • Während einige Hersteller die Technologie eher einsetzen, würde EUV zu in Herstellung im Jahre 2014, mit extendibility in Herstellung im Jahre 2016 gelegt werden fähig sein.
  • Für das doppelte Kopieren der Immersion sind Kosten des Besitzes, überlagerte Fähigkeit und extendibility zur zukünftigen Einheit noch die Spitzenherausforderungen.
  • Für EUV-Technologie wurden Maskendefekten, Quellleistung, Berührungshilfsmitteldurchsatz und Kosten des Besitzes die Spitzenherausforderungen bewertet.
  • 193 nm und EUV wurden als die Technologien gewählt, die für am 32 nm Knotenpunkt jenseits herstellen oder betrachtet würden.

Mit einer Industrieschleife von ungefähr zwei Jahren pro Lithographieknotenpunkt, stellt zweijähriges Litho-Forum SEMATECHS eine Gelegenheit zur Verfügung, damit Lithographiebenutzer und -lieferanten den Fortschritt von verschiedenen Technologieoptionen auswerten. Der vorhergehende Foren geholfene beigeordnete Industriekonsens auf der 32 nm Halbabstand Generation und jenseits.

Quelle: http://www.sematech.org/

Last Update: 12. January 2012 08:43

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